當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
鉭還有非常出色的化學性質，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應。
鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應用領域十分廣闊
在制取各種無機酸的設備中，鉭可用來替代不銹鋼，壽命可比不銹鋼提高幾十倍
電容器是鉭的主要終消費領域，約占總消費量的60%。美國是鉭消費量的國家，1997年消費量達500噸，其中60%用于生產鉭電容器。日本是鉭消費的第國，消費量為334噸。
鉭鈮礦中常伴有多種金屬，廢鉭冶煉的主要步驟是分解精礦，凈化和分離鉭、鈮，以制取鉭、鈮的純化合物，后制取金屬。礦石分解可采用分解法、熔融法和氯化法等。鉭鈮分離可采用溶劑萃取法〔常用的萃取劑為甲基異丁基銅(MIBK)、三丁酯 (TBP)、仲辛醇和乙酰胺等〕、分步結晶法和離子交換法。
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