為了保護(hù)晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會(huì)在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過程中，膠膜會(huì)貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會(huì)背面的這一膠膜會(huì)自動(dòng)脫落。切割時(shí)由于摩擦很大，所以要從各個(gè)方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時(shí)，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。

很長一段時(shí)間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點(diǎn)就是可以在短時(shí)間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會(huì)變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer，含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等?？勺詣?dòng)檢測切割刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測。

通常來說，對(duì)于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜，對(duì)于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜，因?yàn)?，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實(shí)之后，直接上倒封裝標(biāo)簽生產(chǎn)線，那么好使用UV膜，因?yàn)榈狗庋b生產(chǎn)線的芯片一般比較小，而且設(shè)備的頂針在藍(lán)膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍(lán)膜，可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。
外圓切割組然操作簡單，但據(jù)片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內(nèi)圓切割只有進(jìn)行直線切割，沒法進(jìn)行斜面切割。線鋸切割技術(shù)具備割縫窄、率、切成片、可進(jìn)行曲線圖切別等優(yōu)點(diǎn)成為口前普遍選用的切割技術(shù)。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。

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