背景技術(shù)：

2.由于碳化硅(sic)材料具有禁帶寬度寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大等的物理特性，使得sic功率器件具有耐高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，在航天航空、智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域有廣泛的用途。
3.為了降低sic功率器件的導(dǎo)通電阻，以提升器件性能。通常情況下，在sic功率器件的膜層結(jié)構(gòu)制備完成后，需要對(duì)sic襯底進(jìn)行減薄處理。但是，這樣一來(lái)，一方面導(dǎo)致大量(例如近200～300um)的sic純粹被研磨浪費(fèi)，另一方面由于sic材料硬度幾乎達(dá)到金剛石水平，傳統(tǒng)機(jī)械減薄速率小、磨頭損傷大，且sic襯底破裂風(fēng)險(xiǎn)。從而導(dǎo)致sic功率器件制備成本和銷售價(jià)格居高不下，嚴(yán)重限制sic功率器件在各領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

4.本技術(shù)實(shí)施例提供一種晶圓的減薄方法，用于解決sic功率器件良率低、工藝復(fù)雜、制備成本高的問題。
5.為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用如下技術(shù)方案：
6.方面，提供一種晶圓的減薄方法，可以應(yīng)用于對(duì)半導(dǎo)體組件中的復(fù)合襯底進(jìn)行減薄。晶圓或者理解為復(fù)合襯底，包括層疊設(shè)置的碳化硅層、介質(zhì)層以及第二碳化硅層；晶圓具有相對(duì)的側(cè)和第二側(cè)，第二碳化硅層遠(yuǎn)離碳化硅層的一側(cè)為晶圓的側(cè)；晶圓的減薄方法，包括：在第二側(cè)將臨時(shí)襯底載片與晶圓臨時(shí)鍵合；從側(cè)對(duì)晶圓進(jìn)行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅層與介質(zhì)層的界面處進(jìn)行聚焦燒蝕，使得第二碳化硅層與介質(zhì)層分離。
7.本技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓的減薄方法，由于晶圓為三明治疊層結(jié)構(gòu)，其包含有介質(zhì)層存在，而介質(zhì)層與第二碳化硅層的折射率不同。因此，激光從第二碳化硅層遠(yuǎn)離碳化硅層的表面照射入晶圓后，激光很容易在介質(zhì)層與第二碳化硅層的界面處聚焦吸收。通過加大激光能量，達(dá)到介質(zhì)層的熔點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)第二碳化硅層從碳化硅層上剝離，以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的減薄。剝離下來(lái)的第二碳化硅層可以重復(fù)利用，用于制備新的晶圓。因此，采用本技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓的減薄方法對(duì)晶圓進(jìn)行減薄，可以降低半導(dǎo)體器件的制備成本。
8.在一種可能的實(shí)施例中，第二碳化硅層對(duì)激光的吸收系數(shù)小于本征吸收系數(shù)。通過使第二碳化硅層對(duì)激光具有低吸收系數(shù)或者透明的特性，以降低第二碳化硅層激光能量的損耗，提高聚焦燒蝕的效果。
9.在一種可能的實(shí)施例中，激光在第二碳化硅層與介質(zhì)層的界面處發(fā)生非線性吸收。
10.在一種可能的實(shí)施例中，臨時(shí)鍵合的鍵合溫度小于或等于300℃。這樣一來(lái)，可以避免臨時(shí)鍵合工藝溫度過高，對(duì)半導(dǎo)體組件中開關(guān)功能組件產(chǎn)生影響(例如導(dǎo)致開關(guān)功能
組件中的金屬結(jié)構(gòu)熔化)。
11.在一種可能的實(shí)施例中，臨時(shí)襯底載片的熔點(diǎn)大于臨時(shí)鍵合的鍵合溫度。這樣一來(lái)，可以避免臨時(shí)鍵合過程中，臨時(shí)襯底載片溶解，無(wú)法對(duì)半導(dǎo)體組件起到支撐作用。
12.在一種可能的實(shí)施例中，在第二側(cè)將臨時(shí)襯底載片與所述晶圓臨時(shí)鍵合，包括：用臨時(shí)鍵合膠，在所述第二側(cè)將臨時(shí)襯底載片與所述晶圓臨時(shí)鍵合。工藝成熟，成本低。
13.在一種可能的實(shí)施例中，從側(cè)對(duì)晶圓進(jìn)行激光照射，包括：采用紅外激光，從側(cè)對(duì)晶圓進(jìn)行激光照射。工藝成熟，成本低。
14.在一種可能的實(shí)施例中，晶圓的減薄方法還包括：對(duì)碳化硅層遠(yuǎn)離臨時(shí)襯底載片的表面進(jìn)行處理，以去除介質(zhì)層的殘余。通過對(duì)碳化硅層遠(yuǎn)離臨時(shí)襯底載片的表面進(jìn)行處理，使碳化硅層遠(yuǎn)離臨時(shí)襯底載片的表面滿足粗糙度等要求，便于后續(xù)制作金屬電極等結(jié)構(gòu)。
15.在一種可能的實(shí)施例中，對(duì)碳化硅層遠(yuǎn)離臨時(shí)襯底載片的表面進(jìn)行處理，包括：通過濕法腐蝕、干法刻蝕或者清洗中的至少一種方式對(duì)碳化硅層遠(yuǎn)離臨時(shí)襯底載片的表面進(jìn)行處理。
16.在一種可能的實(shí)施例中，晶圓的第二側(cè)還設(shè)置有開關(guān)功能組件；在第二側(cè)將臨時(shí)襯底載片與晶圓臨時(shí)鍵合，包括：將臨時(shí)襯底載片與開關(guān)功能組件臨時(shí)鍵合。由于對(duì)晶圓進(jìn)行減薄的過程是在晶圓上形成開關(guān)功能組件之后進(jìn)行的。因此，本技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓的減薄方法，可以與半導(dǎo)體器件制備過程中的高溫工藝兼容。

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