燒結(jié)銀漿AS9376作為一種專為計(jì)算（HPC）設(shè)計(jì)的低溫?zé)Y(jié)材料，其特的無(wú)壓燒結(jié)工藝、高導(dǎo)電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場(chǎng)景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應(yīng)用分析及技術(shù)價(jià)值：

燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm（燒結(jié)后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數(shù)（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結(jié)銀AS9376在HPC中的典型應(yīng)用
?1. 芯片間3D堆疊互連
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需實(shí)現(xiàn)微米級(jí)TSV（硅通孔）填充和高密度凸點(diǎn)互連，同時(shí)避免傳統(tǒng)熱壓燒結(jié)對(duì)下層芯片的形變影響。

無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376解決方案：
?低溫?zé)Y(jié)工藝：在180℃下形成致密銀層，密度接近理論值（10.5 g/cm3），孔隙率<2%。
?高導(dǎo)電性：電阻率低至1.6 μΩ·cm，支持高頻信號(hào)傳輸（帶寬提升30%）。
假設(shè)?案例：用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊，互連密度達(dá)10?/cm2，功耗降低15%。

無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)（尺寸<100 nm），避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案：
?低應(yīng)力燒結(jié)：燒結(jié)過(guò)程對(duì)硅基板應(yīng)力<5 MPa，振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封：通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)氣密性封裝（漏率<1×10?? Pa/m3），壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例：博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝，體積縮小30%，成本降低20%。

燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針?lè)y(cè)接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

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