燒結(jié)銀AS9376的關(guān)鍵特性適配HPC需求
性能指標(biāo) AS9376參數(shù) HPC需求匹配性：燒結(jié)溫度? ≤180℃（峰值溫度） 兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）

燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結(jié)） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機(jī)械應(yīng)力（滿足芯片堆疊需求）

燒結(jié)銀AS9376的技術(shù)優(yōu)勢總結(jié)
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現(xiàn)有光刻、絲網(wǎng)印刷等HPC產(chǎn)線工藝。
?性能平衡：
導(dǎo)電率與熱導(dǎo)率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號(hào)傳輸與散熱。

燒結(jié)銀AS9376實(shí)施建議與驗(yàn)證方法
?燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)：
推薦兩段式工藝：150℃預(yù)燒結(jié)（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。

燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針法測接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

燒結(jié)銀AS9375的可靠性測試：
PCT測試（100 bar/85℃）評(píng)估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時(shí)）監(jiān)測電阻漂移率。

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