可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動(dòng)裝置、電梯或傳動(dòng)設(shè)備、機(jī)車(chē)與列車(chē)用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極：陽(yáng)極、陰極和控制極。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅又叫晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

眾所周知，晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，有的時(shí)候也叫可控硅整流器，以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導(dǎo)體構(gòu)成的，它有著陽(yáng)極、陰極和門(mén)極這三個(gè)極組成的。從工業(yè)上來(lái)說(shuō)，普通的晶閘管基本的用途就是可控整流。就說(shuō)大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果我們把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)及自動(dòng)控制等方面。

晶閘管的種類(lèi)：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門(mén)關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類(lèi)：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類(lèi)：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類(lèi)：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類(lèi)：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開(kāi)路的條件下，允許重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開(kāi)路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過(guò)工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導(dǎo)通時(shí)管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開(kāi)路時(shí)，元件能維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小陽(yáng)電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽(yáng)—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導(dǎo)通所需的小控制電壓和電流。

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