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佛山出售晶圓挑片器半導(dǎo)體挑片機(jī)

更新時(shí)間1:2025-09-29 信息編號(hào):1f2v73m9od18dc 舉報(bào)維權(quán)
佛山出售晶圓挑片器半導(dǎo)體挑片機(jī)
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供應(yīng)商 蘇州碩世微電子有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 面議
關(guān)鍵詞 出售晶圓挑片器,佛山晶圓挑片器,供應(yīng)晶圓挑片器,晶圓挑片器硅片升降機(jī)
所在地 江蘇蘇州園區(qū)東富路32號(hào)
張先生
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13年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

現(xiàn)有晶圓片生產(chǎn)過程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉(zhuǎn)移到下一道生產(chǎn)上,現(xiàn)有技術(shù)中依靠人力進(jìn)行傳送,傳送過程的耗費(fèi)人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動(dòng)晶圓傳片器以解決以上問題。

晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成,還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來,后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割,激光切割可以減少剝落和裂紋的問題,但是在100um以上時(shí),生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割,等離子切割速度快,不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷,從而提高良率,但是其工藝過程更為復(fù)雜。

很長(zhǎng)一段時(shí)間,鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法,其大的優(yōu)點(diǎn)就是可以在短時(shí)間內(nèi)切割大量的晶圓。然而,如果切片速度大幅提高,小芯片邊緣剝落的可能性就會(huì)變大。因此,應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

刀痕,自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置,防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置,能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer,含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能,配有高低倍兩種鏡頭,可用于切割道寬度測(cè)量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等??勺詣?dòng)檢測(cè)切割刀痕,自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置,防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
頂面碎片,它發(fā)生晶圓的頂面,變成一個(gè)合格率問題,當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時(shí),主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面,當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴(kuò)散開并匯合到一起的時(shí)候。當(dāng)這些微小裂紋足夠長(zhǎng)而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時(shí)候,BSC變成一個(gè)合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下,忽略不計(jì)。另一方面,當(dāng)尺寸大于25um時(shí),可以看作是潛在的受損??墒牵?0um的平均大小可以接受,示晶圓的厚度而定。
以穩(wěn)定的扭矩運(yùn)轉(zhuǎn)的系統(tǒng)要求進(jìn)給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力,它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過控制冷卻劑流量來保持穩(wěn)定的流速和阻力,從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當(dāng)切片機(jī)有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時(shí),維持一個(gè)穩(wěn)定的扭矩。如果記錄,從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對(duì)刀片的變化、刀片情況和操作員錯(cuò)誤。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄,可能充滿測(cè)試用衰耗器(test pad),并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會(huì)發(fā)生變化,而且本身粘性度較高,因此,一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝,而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí),可以考慮使用藍(lán)膜。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大,同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小。可是,挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率,反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加,切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。

所屬分類:電子產(chǎn)品制造設(shè)備/半導(dǎo)體設(shè)備

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