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樓扇鎮(zhèn)IGBT模塊回收出售

更新時(shí)間1:2025-10-07 信息編號(hào):1e362e1evcb7ce 舉報(bào)維權(quán)
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供應(yīng)商 上海增雨實(shí)業(yè)有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 人民幣 666.00
關(guān)鍵詞 IGBT模塊回收出售,黃浦IGBT模塊回收,IGBT模塊回收標(biāo)準(zhǔn),IGBT模塊回收標(biāo)準(zhǔn)
所在地 上海市閔行區(qū)
吳增寶
򈊡򈊨򈊣򈊢򈊡򈊥򈊢򈊨򈊥򈊨򈊦 2034107193

8年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

在使用IGBT模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然了柵驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵大額定電壓,但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵—發(fā)射間開(kāi)路時(shí),若在集電與發(fā)射間加上電壓,則隨著集電電位的變化,由于集電有漏電流流過(guò),柵電位升高,集電則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電與發(fā)射間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,但由于相移的關(guān)系,電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,而使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。
為了克服上述問(wèn)題,可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
1、日本三社SanRex:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。
2、德國(guó)西門(mén)]康SEMIKRON: IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。
3、德國(guó)英飛凌Infineon: IGBT模塊; PIM模塊;可控硅模塊。
4、德國(guó)艾賽斯IXYS:快速恢復(fù)二極管模塊;可控硅模塊。
5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模塊; IPM模塊; PIM模塊。
6、日本富士FUJI: IGBT模塊; IPM模塊;三相整流橋模塊。
7、美國(guó)威士VISHAY:螺栓二極管;螺栓可控硅。
8、日本東芝TOSHIBA: IGBT模塊;整流橋模塊; GTO門(mén)極關(guān)斷可控硅。
9、IGBT無(wú)感吸收電容:美國(guó)CDE;加拿大EACO:德國(guó)EPCOS。
10、英國(guó)西碼WESTCODE:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二極管。
12、英國(guó)達(dá)尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二極管、GTO ]極可關(guān)斷可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門(mén)極可關(guān)斷可控硅。
14、快速熔斷器:美國(guó)BUSSMANN。

可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
可控硅開(kāi)關(guān)
可控硅開(kāi)關(guān)
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。
面向全國(guó),蘇州模塊供應(yīng)商,代理商。
全新原裝,代理,大量庫(kù)存
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
可控硅 IGBT IPM PIM系列模塊優(yōu)勢(shì)代理
主要銷售國(guó)際的整流管,晶閘管、快速晶閘管、電力模塊等產(chǎn)品??偣疽言谙愀邸⑴_(tái)灣和東南亞享有名氣數(shù)十載。主要銷售世界各地電力電子器件,主要包括功率模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管和驅(qū)動(dòng)板、單三相整流橋模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、保險(xiǎn)絲、熔斷器和氣動(dòng)元件。主要包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、西門(mén)康、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門(mén)子、美國(guó)巴斯曼、法國(guó)羅蘭等功率模塊。
我公司力爭(zhēng)“追求、創(chuàng)造、樹(shù)立、服務(wù)客戶”的質(zhì)量方針,以“客戶利益至上,產(chǎn)品質(zhì)量”為宗旨。真誠(chéng)希望與您建立長(zhǎng)期穩(wěn)定、互惠互利的關(guān)系。

所屬分類:電子元器件回收/主板回收

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