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單晶硅生長(zhǎng)爐的原理簡(jiǎn)介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱(chēng)作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，

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采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有以下有益效果：、取出晶棒后，將硅料加入加料坩堝，蓋上外部加料器的上蓋，將外部加料器真空抽到合適壓力值時(shí)打開(kāi)旋閥，硅料落入外部化料器中并在外部化料器中被熔化，熔化后的硅料流入主爐室坩堝，當(dāng)外部化料器中的硅料加完后，再關(guān)閉旋閥，把外部加料器充常壓，打開(kāi)外部加料器的上蓋繼續(xù)加料，如此循環(huán)，進(jìn)而完成外部加料、化料，本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶，選用合適的主爐室坩堝可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉制五六根晶棒，可大幅減少冷卻、拆爐、裝爐的時(shí)間，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率；、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，爐子本體包括機(jī)架、坩堝驅(qū)動(dòng)裝置、主爐室、翻板閥、副爐室、籽晶提升機(jī)構(gòu)、液壓驅(qū)動(dòng)裝置、真空系統(tǒng)、沖系統(tǒng)及水冷系統(tǒng)。機(jī)架由底座、上立柱和下立柱組成，是爐子的支撐裝置。江浙滬皖贛冶煉行業(yè)成套設(shè)備回收單位，整改停用冶煉機(jī)械產(chǎn)品拆除回收，本長(zhǎng)期收購(gòu)中頻爐，單晶爐，電解爐，高風(fēng)爐，熱風(fēng)爐，單晶硅生長(zhǎng)爐，整改回收，整流柜收購(gòu)，電抗器拆除回收，水冷電纜拆除收購(gòu)，動(dòng)力電纜拆除收購(gòu)業(yè)務(wù)，我長(zhǎng)年收購(gòu)單晶爐設(shè)備歡迎來(lái)電詳詢。