晶圓中200mm 階段，采用晶圓輸送機(jī)代替人手操作，排除人為帶入的環(huán)境污染。隨著IC 制造工藝的發(fā)展和對(duì)環(huán)境潔凈度要求的提高，國(guó)外機(jī)器人研究機(jī)構(gòu)在上世紀(jì) 80 年代開(kāi)展了晶圓自動(dòng)傳輸系統(tǒng)各部分的關(guān)鍵技術(shù)研究，研制出直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)、位移傳感器等關(guān)鍵部件。

晶圓升降機(jī)構(gòu)需要完成升降運(yùn)動(dòng)，采用直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)。直線電機(jī)是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成直線運(yùn)動(dòng)，而不需要通過(guò)任何中間轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)的新穎電機(jī)。其代表是音圈電機(jī)，音圈的繞制方向與磁場(chǎng)方向垂直，具有喇叭狀的輻射磁場(chǎng)，音圈通電后在磁場(chǎng)中會(huì)產(chǎn)生力，力的大小與施加在線圈上的電流成比例。電機(jī)運(yùn)動(dòng)形式可以為直線或者圓弧，主要用在精密儀器上。

晶圓上表面有定位用的標(biāo)識(shí)，晶圓在預(yù)對(duì)準(zhǔn)階段確定好了與傳輸機(jī)械手的相對(duì)位置，經(jīng)過(guò)升降機(jī)構(gòu)到達(dá)工件臺(tái)吸盤上，為了檢測(cè)標(biāo)識(shí)位需要其與吸盤相對(duì)位置是固定的。因此要求升降機(jī)構(gòu)在圓周方向上不存在轉(zhuǎn)動(dòng)。同時(shí)光柵傳感器安裝要求光柵尺與讀數(shù)頭相對(duì)位置在+0.1mm。防轉(zhuǎn)裝置能機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)圓周方向相對(duì)位置，晶圓傳輸?shù)木取?br/>
晶圓升降系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造中重要的工藝設(shè)備之一，常規(guī)的晶圓升降系統(tǒng)通常有兩種：其中一種晶圓升降系統(tǒng)包括：頂針、靜電吸盤、組合支架及三個(gè)升降氣缸，所述頂針通過(guò)所述組合支架固定在所述升降氣缸上，當(dāng)所述頂針托載晶圓時(shí)，所述升降氣缸可以控制組合支架及托載晶圓的所述頂針相對(duì)靜電吸盤上升或者下降一定的高度。但是，當(dāng)組合支架使用時(shí)間過(guò)長(zhǎng)時(shí)容易損壞，導(dǎo)致頂針，下降的高度不夠，使得頂針與晶圓的背面的間距過(guò)小，進(jìn)而導(dǎo)致晶圓上累積的電荷在該頂針區(qū)域局部放電起輝造成放電，從而導(dǎo)致晶圓良率損失。

另一種晶圓升降系統(tǒng)包括三個(gè)頂針、靜電吸盤及三個(gè)升降氣缸，一個(gè)升降氣缸控制一個(gè)頂針的升降，采用該裝置進(jìn)行晶圓升降時(shí)發(fā)現(xiàn)，由于頂針的上升受升降氣缸壓力波動(dòng)的影響，導(dǎo)致三個(gè)頂針的下降高度存在差異，使得其中某個(gè)頂針與晶圓的背面的間距過(guò)小，進(jìn)而導(dǎo)致晶圓上累積的電荷在該頂針區(qū)域局部放電起輝造成放電，從而導(dǎo)致晶圓良率損失。

隨著制造工藝的進(jìn)步，所加工的硅片直徑越來(lái)越大，而器件特征尺寸在不斷縮小，單位面積上能夠容納的集成電路數(shù)量劇增，成品率顯著提高，單位產(chǎn)品的成本大幅度降低，可靠性等性能指標(biāo)顯著提升，促進(jìn)了大生產(chǎn)的規(guī)模化。

在制造IC的生產(chǎn)線中，已全面采用了計(jì)算機(jī)控制和機(jī)器人搬運(yùn)。對(duì)于復(fù)雜的作人為失誤在所難免，而且在潔凈室中，即使操作者身著無(wú)塵服，也不免造成污染。采用計(jì)算機(jī)控制和機(jī)器人搬運(yùn)，可提高產(chǎn)品質(zhì)量和安全性，從而降低成本。