“成為世界低溫電子漿料頭部品牌”為奮斗目標。
公司是集研發(fā)，生產(chǎn)，銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司研發(fā)團隊由美籍華人科學家領導，多名海外博士、博士后組成，研發(fā)團隊均為碩士及博士以上學歷，研發(fā)人員占公司人員比例超過40%，公司是一家技術(shù)驅(qū)動型的高新技術(shù)企業(yè)，目前公司正在申請院士工作站和博士后工作站。公司注重產(chǎn)品研發(fā)，產(chǎn)品品質(zhì)和生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的持續(xù)提升和優(yōu)化，重視對人才的引進和培養(yǎng)。

與TCO層有良好的接觸，接觸電阻低，可提升FF；焊接拉力強：銀漿低溫燒結(jié)后的電路焊接性能好，拉力達到2.0N/mm 以上；

持續(xù)印刷性好：銀漿的黏度相對合適，保持良好的高寬比，滿足可持續(xù)印刷的要求；印刷速度快：印刷速度可達250-400mm/S；

可靠性好：銀漿低溫固化形成電極后耐候性良好，滿足組件可靠性的要求。在客戶端雙85和冷熱循環(huán)測試都可以通過。

鏈式吸雜：使用磷酸在一定溫度下在硅片表面形成磷硅玻璃，達到將硅片內(nèi)的金屬雜質(zhì)吸出的作用；

清洗制絨：利用堿對硅的各向異性刻蝕原理，在形成硅片表面形成金字塔形狀，達到陷光目的；同時使用改良RCA清洗工藝對硅片表面進行清洗，為下一步鍍膜做準備；

PEVCD鍍膜：利用非晶硅的短話效果在硅片表面沉積本征非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜，從而形成PN結(jié)。工藝過程主要采用RF電源將硅烷（SiH)、氫氣（H）等其他工藝氣體激發(fā)為等離子體態(tài)，并相互反應，終以薄膜形式沉積在硅片表面；