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GaN芯片燒結(jié)銀

更新時間:2025-10-10 [舉報]
燒結(jié)銀解決寬禁帶半導(dǎo)體的五大難題

SHAREX善仁新材開發(fā)的低溫納米燒結(jié)銀有以下9大特點:
1低壓或者無壓燒結(jié)
2低溫工藝:燒結(jié)溫度可以在170度

高導(dǎo)熱率:導(dǎo)熱率可達(dá)3130W/mK
4高導(dǎo)電率:體阻低至2.2*10-6
5 耐候性好:-55-250°C

1降低綜合成本:可以支持高電壓和更高工作溫度的硅以及寬能隙器件,并且?guī)椭蛻裘壳叱杀窘档?0%以上。

隨著車輛從微型和輕度混合動力過渡到完全混合動力、插電式混合動力和電動車輛,動力總成千瓦的需求急劇增加。這些應(yīng)用要求優(yōu)化效率,在規(guī)定的電池尺寸下實現(xiàn)更長的續(xù)航里程

實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn):善仁新材的燒結(jié)銀可以多種產(chǎn)品形式供應(yīng),再加上Ag、Au和Cu表面處理方案,可提供的靈活解決方案,幫助客戶實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)和提高良率。

當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體強(qiáng)勢崛起,隨著電動汽車市場的增量放大,消費者對汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高,電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復(fù)雜,封裝成了提升可靠性和性能的關(guān)鍵。封裝是承載器件的載體,也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。

標(biāo)簽:低電阻燒結(jié)銀高導(dǎo)電燒結(jié)銀
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