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低溫?zé)Y(jié)銀日本燒結(jié)銀替換北京燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-10 [舉報(bào)]
射頻器件無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376

從2017年起,善仁新材在燒結(jié)銀材料的研發(fā)與生產(chǎn)方面走在行業(yè),提供多款產(chǎn)品以適應(yīng)各種應(yīng)用場(chǎng)景。從AS9000系列銀墨水,到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結(jié)銀膏,善仁新材一直燒結(jié)銀的技術(shù)應(yīng)用,以滿(mǎn)足市場(chǎng)的多樣化需求。

大面積燒結(jié)銀的應(yīng)用拓展
SHAREX善仁新材的燒結(jié)銀技術(shù)作為封裝領(lǐng)域的一個(gè)突破,憑借無(wú)鉛、環(huán)保性和的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能獲得了廣泛關(guān)注。該技術(shù)已在市場(chǎng)上得到了大范圍的認(rèn)可。在逆變器系統(tǒng)中,燒結(jié)銀可以被應(yīng)用于芯片與氮化硅AMB基板的邦定;或用于DTS燒結(jié)芯片頂部處理;或再將功率模塊焊接到散熱器底板上。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢(shì)之一是在功率模塊中越來(lái)越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品,特別是在電動(dòng)車(chē)的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對(duì)能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長(zhǎng)的需求,例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。

標(biāo)簽:北京納米銀導(dǎo)電膠低溫?zé)Y(jié)銀
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