生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯密度低于 200/厘米2者稱為無位錯單晶，無位錯硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

光伏組件回收成為新熱點 太陽能光伏發(fā)電，是世界能源綠色轉(zhuǎn)型的生力軍，其供應(yīng)鏈包括了從硅材料提純、鑄錠拉棒、切片、電池和輔材、組件、平衡部件以及系統(tǒng)集成、應(yīng)用和退役回收。

國際可再生能源署(IRENA)的一項研究證實：到2050年，世界范圍內(nèi)報廢的光伏電池板數(shù)量將達到數(shù)千萬噸(特別是在中國、美國、日本、印度和德國)——回收后價值將超過150億美元。 僅在中國，2020年廢棄的光伏組件就將達到2000萬噸，是埃菲爾鐵塔重量的2000倍。