電阻率與均勻度 　拉制單晶時摻入一定雜質(zhì)以控制單晶的電阻率。由于雜質(zhì)分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區(qū)電阻率均勻度。它直接影響器件參數(shù)的一致性和成品率。

硅單晶主要技術參數(shù)有導電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導電類型 　導電類型由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

硅是元素半導體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過一段時間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導體材料的。60年代硅外延生長單晶技術和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達2500噸。硅還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶硅制造太陽電池的技術已經(jīng)成熟；無定形非晶硅膜的研究進展迅速；非晶硅太陽電池開始進入市場。

光伏組件材料包含玻璃、硅、銀、銅、鋁等有價值組分，大部分物質(zhì)通過適當回收，實現(xiàn)循環(huán)再利用，可有效緩解生態(tài)環(huán)境壓力、降低光伏全產(chǎn)業(yè)鏈能耗等指標，進一步優(yōu)化光伏組件全生命周期的綠色節(jié)能特性。因此，隨著全球光伏從補充能源走向替代能源，進而成為主力能源的趨勢越來越明顯，隨之而來的，光伏組件的回收與無害化處理也是全球面對的急迫問題。

全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場潛力，國際能源署預計到2050年全球?qū)⒂薪?000萬噸，約43億塊報廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場價值；中國光伏行業(yè)協(xié)會預測到2030年中國也將面臨回收150萬噸報廢組件，2050年將達到2000萬噸，隨著近年來的大規(guī)模既有項目的技改，中國光伏回收高峰將提前到來。