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無壓燒結(jié)銀成都燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-04 [舉報(bào)]
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燒結(jié)銀AS9376的關(guān)鍵特性適配HPC需求
性能指標(biāo) AS9376參數(shù) HPC需求匹配性:燒結(jié)溫度? ≤180℃(峰值溫度) 兼容低溫封裝工藝(避免熱損傷)

燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm(燒結(jié)后) 支持高密度互連(電阻率低至1.6 μΩ·cm)
?熱膨脹系數(shù)(CTE)?? 可定制(≈5-8 ppm/℃) 匹配硅/陶瓷基板(ΔCTE <5 ppm/℃)

無壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn):
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)(尺寸<100 nm),避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案:
?低應(yīng)力燒結(jié):燒結(jié)過程對硅基板應(yīng)力<5 MPa,振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封:通過無壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)氣密性封裝(漏率<1×10?? Pa/m3),壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例:博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝,體積縮小30%,成本降低20%。

標(biāo)簽:納米燒結(jié)銀膏無壓燒結(jié)銀
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