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heraeus燒結(jié)銀替代納米燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-09-30 [舉報(bào)]
射頻器件無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376

AS9378燒結(jié)銀解決了以下三大問題:
1:大面積燒結(jié)會(huì)大幅增加客戶對(duì)燒結(jié)銀膏的用量,而燒結(jié)銀成本相對(duì)較高,作為中國(guó)燒結(jié)銀的者,善仁新材的解決了這一困擾客戶的難題。

AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好:為了適應(yīng)大面積燒結(jié),燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果,同時(shí)需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

AS9378燒結(jié)銀的印刷性好:在大面積上進(jìn)行印刷要求銀膏的印刷性要足夠好,需要調(diào)整銀膏的觸變性和黏度以適應(yīng)大面積印刷。

SHAREX善仁新材燒結(jié)銀研究院認(rèn)為:隨著越來(lái)越多的碳化硅模塊制造商、封裝廠商乃至汽車制造商開始采用大面積燒結(jié)銀工藝,相信未來(lái)大面積燒結(jié)技術(shù)在車型中的采用率會(huì)越來(lái)越高。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢(shì)之一是在功率模塊中越來(lái)越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品,特別是在電動(dòng)車的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對(duì)能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長(zhǎng)的需求,例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。

隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)和優(yōu)化,燒結(jié)銀技術(shù)在高工作溫度、高熱導(dǎo)率和高可靠性方面的優(yōu)勢(shì)將更加明顯,善仁新材也在通過技術(shù)創(chuàng)新、工藝改進(jìn)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)合作來(lái)推動(dòng)燒結(jié)銀的應(yīng)用。

標(biāo)簽:加壓燒結(jié)銀納米燒結(jié)銀膠
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