無壓燒結(jié)銀優(yōu)勢、銀燒結(jié)流程及燒結(jié)銀應(yīng)用
隨著高功率芯片，器件和模組的日益發(fā)展，散熱性需要大幅度的提高，無壓燒結(jié)銀是解決散熱性的。

三、無壓燒結(jié)銀的應(yīng)用
1.功率半導(dǎo)體應(yīng)用
燒結(jié)銀技術(shù)功率測試板塊一旦通過了高溫循環(huán)測試，就可以至少提高五倍的壽命，實現(xiàn)從芯片到散熱器的封裝連接。

低溫無壓燒結(jié)銀對鍍層的四點要求
對于AMB基板、DBC基板以及底板來說,銅或鋁表面在空氣中會發(fā)生氧化,形成的氧化物薄膜會阻礙與低溫燒結(jié)銀之間的原子擴散和金屬鍵的形成,降低連接強度。為避免基板表面的氧化,提升與互連材料之間的連接強度,需要對基板進行金屬鍍層處理。AS9376低溫無壓燒結(jié)銀對鍍層要求有以下四點

需要形成金屬鍍層與基板之間的原子擴散,形成原子結(jié)合。該連接需要在AS9375系列燒結(jié)銀互連過程中穩(wěn)定,需要在可靠性測試：比如溫度循環(huán)測試，高低溫測試等測試中保持高剪切強度的連接,并且具有較低的界面熱阻。

4、金屬間化合物盡量少
需要盡量避免產(chǎn)生金屬間化合物。金屬間化合物一般為脆性,三元金屬間化合物比二元金屬間化合物更脆,易導(dǎo)致可靠性問題。如不能避免,需要盡量形成較薄的、不連續(xù)的金屬間化合物層。

低溫無壓燒結(jié)銀AS9376可以實現(xiàn)高強度的低溫燒結(jié)銀的互連,可以無需額外的熱壓設(shè)備,大大降低生產(chǎn)成本,這對于拓展燒結(jié)銀互連材料和技術(shù)具有非常重要的理論和應(yīng)用價值。