為了響應(yīng)國(guó)家“雙碳”的號(hào)召，公司利用納米平臺(tái)，金屬平臺(tái)等開(kāi)發(fā)出了異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能低溫導(dǎo)電銀漿，此款導(dǎo)電銀漿具有很多特的優(yōu)點(diǎn)；

與TCO層有良好的接觸，接觸電阻低，可提升FF；焊接拉力強(qiáng)：銀漿低溫?zé)Y(jié)后的電路焊接性能好，拉力達(dá)到2.0N/mm 以上；

持續(xù)印刷性好：銀漿的黏度相對(duì)合適，保持良好的高寬比，滿足可持續(xù)印刷的要求；印刷速度快：印刷速度可達(dá)250-400mm/S；

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能工藝流程如下：
硅片切割：將外購(gòu)硅片使用振鏡、直線電機(jī)補(bǔ)償調(diào)節(jié)，采用無(wú)冷媒的方式（市場(chǎng)上絕大多數(shù)用水）更好地保護(hù)N型硅片膜層，完成硅片切割；

鏈?zhǔn)角逑矗簩⑶懈钔瓿傻墓杵诺綒溲趸浨逑匆褐羞M(jìn)行清洗，然后進(jìn)行酸洗完成硅片表面的清洗；

PEVCD鍍膜：利用非晶硅的短話效果在硅片表面沉積本征非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜，從而形成PN結(jié)。工藝過(guò)程主要采用RF電源將硅烷（SiH)、氫氣（H）等其他工藝氣體激發(fā)為等離子體態(tài)，并相互反應(yīng)，終以薄膜形式沉積在硅片表面；

PVD鍍膜：電池表面沉積TCO透明導(dǎo)電氧化薄膜起到減反和導(dǎo)電作用；工藝過(guò)程主要利用磁控濺射原理，將TCO材料以薄膜形式沉積到電池表面，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電、減反和保護(hù)非晶硅薄膜的作用；