在可再生能源逐漸替代石油能源的今天，進行太陽能電池板的長期回收基礎設施建設對加快建設循環(huán)經(jīng)濟、真正實現(xiàn)可再生能源和經(jīng)濟的可持續(xù)發(fā)展，具有重要的意義。

硅是元素半導體。電活性雜質磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

硅單晶主要技術參數(shù)有導電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。
導電類型 　導電類型由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷