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單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/,把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化;然后,對熔化的硅液稍做降溫,使之產(chǎn)生一定的過冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會(huì)在籽晶下端生長;接著,控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3~5mm的細(xì)頸,用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò),這個(gè)過程是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個(gè)過程稱為放肩;接著,突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作,
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2011年度,相關(guān)部門推出了一系列的激勵(lì)政策,包括2011年度的金太陽項(xiàng)目,太陽能光電建筑應(yīng)用示范工程,以及光伏上網(wǎng)電價(jià)等。這些政策的出臺(tái)和實(shí)施,對光伏產(chǎn)業(yè)起到了很好的推動(dòng)作用。在能源科技“十二五”規(guī)劃中,明確劃分了4個(gè)技術(shù)領(lǐng)域:勘探與開采技術(shù)、加工與轉(zhuǎn)化技術(shù)、發(fā)電與輸配電技術(shù)和新能源技術(shù)。提到2020年,光伏發(fā)電成本降低到與常規(guī)電力相當(dāng)?shù)哪繕?biāo),充分體現(xiàn)了實(shí)現(xiàn)由能源大國向能源強(qiáng)國轉(zhuǎn)變、促進(jìn)光伏應(yīng)用發(fā)展的決心。而能源局公布的“十二五”可再生能源目標(biāo),提出到2015年光伏發(fā)電將達(dá)到15GW,發(fā)電量200億千瓦時(shí)。核心提示:《規(guī)劃》明確了七大領(lǐng)域的發(fā)展方向,制定了產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖,提出了各領(lǐng)域發(fā)展的標(biāo)志性目標(biāo)、提升整體創(chuàng)新能力與拓展市場應(yīng)用等創(chuàng)新發(fā)展重大行動(dòng)計(jì)劃、主要政策措施,力圖為產(chǎn)業(yè)發(fā)展指出更加清晰的發(fā)展方向。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,如果圓柱體放在線圈,那么圓柱體周邊的溫度是一樣的,圓柱體加熱和熔化也沒有產(chǎn)生有害氣體、強(qiáng)光污染環(huán)境。中頻爐廣泛用于有色金屬的熔煉[主要用在熔煉鋼、合金鋼、特種鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、鋅等有色金屬材料的熔煉,也可用于銅、鋁等有色金屬的熔煉和升溫,保溫,并能和高爐進(jìn)行雙聯(lián)運(yùn)行。]、