SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設備制造商的推動下，人們對無壓燒結銀的偏好越來越高。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比，燒結銀AS9378具有更高的導熱性（200至300W/mK），有可能將從結到外殼的熱阻降低40%以上，同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據(jù)下表數(shù)據(jù)可觀察到銀燒結的高使用溫度接近900℃遠超傳統(tǒng)焊料。

納米銀燒結成為碳化硅器件封裝核心工藝。相比于傳統(tǒng)的軟釬焊工藝，善仁新材的低溫納米銀燒結技術有利于提升產(chǎn)品的可靠性，使用的銀材料具有高導電率、高導熱率等特點，近年頗受業(yè)界關注。

善仁新材燒結材料通?？梢赃_到200℃-300℃，這讓燒結技術成為焊接工藝理想的替代方案。此外，芯片粘接是一個極其復雜的過程，采用燒結銀技術進行芯片粘接，可大大降低總制造成本，加工后無需清洗，還可縮短芯片之間的距離。

善仁新材的燒結銀可以用于電動汽車動力總成模組?：善仁燒結銀通過其高可靠性和的導電導熱性能，用于電動汽車的關鍵部件，如牽引逆變器和DC/DC轉換器，以提高電力電子設備的效率和可靠性，進而增加車輛的續(xù)航里程。