- 信息報(bào)價(jià)
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中國雙極型功率晶體管市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及投資戰(zhàn)略研究報(bào)告2021-2027年 *************************************** [報(bào)告編號(hào)] 323344 [出版日期] 2021年8月 [出版機(jī)構(gòu)] 中研華泰研究院 [交付..09月04日 -
中國中小功率晶體管行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及投資戰(zhàn)略研究報(bào)告2021-2027年 *************************************** [報(bào)告編號(hào)] 323333 [出版日期] 2021年8月 [出版機(jī)構(gòu)] 中研華泰研究院 [交付方..09月04日
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中國中小功率晶體管市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)查與前景趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告2021-2026年【報(bào)告編號(hào)】: 342721【出版時(shí)間】: 2021年8月【出版機(jī)構(gòu)】: 中研智業(yè)研究院【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 【報(bào)告價(jià)格】:..09月04日
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中國中小功率晶體管市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析及投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告2023-2029年 ≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧【報(bào)告編號(hào)】: 223831【出版機(jī)構(gòu)】: 【北京中研信息研究所】【出版日期】: 【2023年04月】【報(bào)..09月04日
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面議型號(hào)：BCP52 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族：晶體管 FET 類型：P 溝道 電流：1A 電壓：60V 功率：1W 頻率：145MHz 工作溫度：150°C 封裝：SOT22307月31日
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深圳市星際金華優(yōu)勢(shì)大量原裝出售IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管?。?！ 只做原裝 質(zhì)量 現(xiàn)貨營銷 價(jià)格優(yōu)惠 歡迎致電咨詢 IPS65R1K5CE： FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（..05月19日
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10.00元歡迎有庫存電子料的商戶前來聯(lián)系，中介有酬金 回收仙童電力半導(dǎo)體 回收 仙童功率晶體管 回收仙童功率模塊 回收仙童IGBT模塊 回收仙童IGBT單管 回收仙童二極管 回收仙童快恢復(fù)二極管03月22日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計(jì)，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用LD q=3..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應(yīng)用。非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。Doh..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-55..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應(yīng)用。非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。測(cè)試電路： ..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..09月04日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的..09月04日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。#BLC10G19XS-551AV..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對(duì)稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時(shí)的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計(jì)，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護(hù) 8.有關(guān)RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampl..09月04日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計(jì)，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用于頻率從1930 MH..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性 4.更低的輸出電..09月04日
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