干法生產的石英粉分為普通石英粉、精制石英粉二種等級。因石英石礦料從山上開采下來的時候，本身帶有黃褐色的表皮。挑選出較小的石英石礦料直接破碎篩分的產品稱普通石英粉，表觀呈現黃褐色與白色相間，其優(yōu)點是價格便宜，缺點是雜質較多，故多用于建筑行業(yè).挑選出大的礦料，經過人工去除表面黃褐色外皮，再加工而成的就是精制石英粉了，其表觀呈現白色，亮晶晶，如同白砂糖一樣。因加工過程費時費料，故價位較高。
　　水法生產的石英粉分為普通石英粉和精制石英粉。把較小的石英石礦料加工成普通石英粉，把大的石英石礦料加工成精制石英粉。與干法石英粉相比，水法石英粉因在生產過程，較少產生設備鐵以及用水沖走雜質，如含鐵量及雜質都少于干法石英粉，但因其加工較為費工費料，故價位較高。
　　石英粉不分等級，只分規(guī)格。因其具備白度高，無雜質、鐵量低等特點，故應用范圍廣.

優(yōu)良的自然石英,經由過程怪異的低溫處置工藝加工而構成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
　　一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
　　五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內線本領,并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數.
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產生必定水平的熱收縮,恰好抵償環(huán)氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使?jié)沧Ⅲw不變形.
　　七、極低的熱收縮系數、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業(yè):電子質料、高功效環(huán)氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質料、珠寶行業(yè)、特種陶瓷質料、特種耐火質料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質料行業(yè),日用化工,粘合劑,塑料,PTC質料、航空、航天、齒科質料和硅橡膠等中填料,各種產業(yè)庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

超細石英粉可以達到3000目，國內少數幾家生產，此類產品應用基本都屬于精細化工，屬于戰(zhàn)略資源。石英粉具體介紹如下：　　
由高純石英粉經的超細研磨工藝加工而成的產品我們一般稱之為硅微粉，也可稱為超細石英粉,是用途極為廣泛的無機非金屬材料.具有介電性能、熱膨脹系數低、導熱系數高、懸浮性能好等優(yōu)點.因其具有優(yōu)良的物理性能、的化學穩(wěn)定性、特的光學性質及合理、可控的粒度分布。

優(yōu)點：
1、顯著提高抗壓、抗折、抗?jié)B、防腐、抗沖擊及耐磨性能，顯著延長砼的使用壽命，特別是在氯鹽污染侵蝕、硫酸鹽侵蝕、高濕度等惡劣環(huán)境下，可使砼的耐久性提高一倍甚至數倍?！　?br /> 2、具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應用可降低成本。提高耐久性。　
3、提高澆注型耐火材料的致密性，在與Al2O3并存時，更易生成莫來石相，使其高溫強度，抗熱振性增強?！　?br /> 從而被廣泛應用于光學玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、醫(yī)藥、化裝品、電子元器件以及超大規(guī)模集成電路、移動通訊、手提電腦、航空航天等生產領域。

硅微粉能夠填充水泥顆粒間的孔隙，同時與水化產物生成凝膠體，與堿性材料氧化鎂反應生成凝膠體。在水泥基的砼、砂漿與耐火材料澆注料中，摻入適量的硅灰，可起到如下作用：
⒈顯著提高抗壓、抗折、抗?jié)B、防腐、抗沖擊及耐磨性能。
2.具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。
⒊顯著延長砼的使用壽命。
⒋大幅度降低噴射砼和澆注料的落地灰，提高單次噴層厚度。
⒌是高強砼的必要成份，已有C150砼的工程應用。
⒍具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應用可降低成本，提高耐久性。
⒎有效防止發(fā)生砼堿骨料反應。
⒏提高澆注型耐火材料的致密性。在與Al2O3并存時，更易生成莫來石相，使其高溫強度，抗熱振性增強。

微硅粉的生產方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經旋風分離除去雜質，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。