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化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術具有特的化學和機械相結合的效應，是在機械拋光的基礎上，根據(jù)所要拋光的表面，加入相應的化學試劑，從而達到增強拋光和選擇性拋光的效果?；瘜W機械拋光液的性能是影響化學機械拋光質量和拋光效率的關鍵因素之一。拋光液一般包含氧化劑、絡合劑、表面活性劑、磨料、pH調節(jié)劑、腐蝕抑制劑等成分，各種添加劑的選擇和含量對拋光效果都會產(chǎn)生很大的影響。
納米氧化鋁拋光液具有移除速率高、懸浮分散性能好、對碳化硅晶圓表面無損傷、且表面粗糙度值極低、循環(huán)使用壽命長、易清洗、通用性好等特點，適用于半導體碳化硅晶圓的CMP拋光。
氧化鋁拋光液具有以下性能：
1、晶相穩(wěn)定、硬度高、顆粒小且分布均勻，懸浮穩(wěn)定性好；
2、磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好；
3、研磨，拋光效果好，研磨效率遠遠二氧化硅等軟質磨料，表面光潔度優(yōu)于白剛玉的拋光效果，切削力強、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。
4、適用范圍廣，拋光后容易清洗。
