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超大場(chǎng)景顯示 顯示條件:多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏; 信號(hào)情況:多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號(hào)、HDSDI信號(hào)(選配)。 實(shí)現(xiàn)功能:選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據(jù)用戶(hù)的需求,可以采用不同的顯示模式,具體為: A.滿(mǎn)屏模式 輸入的信號(hào)通過(guò) LED圖像拼接處理器,在整個(gè)LED屏體上滿(mǎn)屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號(hào)的比例不一致時(shí),畫(huà)面將出現(xiàn)自動(dòng)拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應(yīng)用于背景影像內(nèi)容的顯示; B.等比模式 輸入的信號(hào)通過(guò) LED圖像拼接處理器時(shí),根據(jù)輸入信號(hào)的比例格式,等比例在整個(gè)LED屏體上。畫(huà)面等比顯示時(shí), LED屏體的上下或者左右會(huì)因?yàn)闆](méi)有內(nèi)容顯示而曾現(xiàn)黑色。該模式往往應(yīng)用于人像顯示或者領(lǐng)導(dǎo)講話(huà)的場(chǎng)景內(nèi)容。 C.全屏等比模式 輸入的信號(hào)通過(guò)LED圖像拼接處理器時(shí),根據(jù)輸入信號(hào)的比例以及屏體的顯示點(diǎn)陣分布情況,將輸入的內(nèi)容采用像素抓取技術(shù),截取與LED屏體比例一致的顯示,在整個(gè)LED屏體上放大顯示。該模式應(yīng)用于對(duì)現(xiàn)場(chǎng)情景需要展現(xiàn)的內(nèi)容;
多路信號(hào)同步實(shí)時(shí)顯示 顯示條件:多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏; 信號(hào)情況:多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號(hào)、HDSDI信號(hào)(選配)。 實(shí)現(xiàn)功能:選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時(shí)顯示。
輸入信號(hào)任意堆疊SOIS(superimpose of any input signal)技術(shù) 多種圖像信號(hào)混合疊加,不同分辨率,不同的視頻格式同時(shí)顯示以及無(wú)縫切換。實(shí)現(xiàn)窗口疊加、漫游、縮放的功能。 多種不同輸入/輸出信號(hào) 輸入信號(hào) 主通道:2路CVBS,1路VGA,1路DVI,1路YPbPr,(可選配支持HDMI,SDI,HDSDI); 子通道:每個(gè)子通道可以支持1路CVBS,1路VGA 輸出信號(hào) VGA 輸出:1 路計(jì)算機(jī)模擬信號(hào)輸出,可連接本地顯示器用做監(jiān)視; DVI 輸出:多路DVI 路計(jì)算機(jī)數(shù)字信號(hào)輸出,接駁 LED 發(fā)送卡(內(nèi)置或者外置均可);
顯示屏幕的對(duì)比度影響著視覺(jué)成像效果,高對(duì)比度,提升畫(huà)面清晰度、顏色鮮亮,并有效地提升圖像畫(huà)質(zhì)的細(xì)節(jié)質(zhì)感、清晰程度、灰度等級(jí)。此外,對(duì)比度還對(duì)動(dòng)態(tài)視頻的分辨轉(zhuǎn)換帶來(lái)一定影響,高對(duì)比度可使肉眼更易于分辨動(dòng)態(tài)圖中的明暗轉(zhuǎn)換過(guò)程。
改變電流可以變色,發(fā)光二極管方便地通過(guò)化學(xué)修飾方法,調(diào)整材料的能帶結(jié)構(gòu)和帶隙,實(shí)現(xiàn)紅黃綠藍(lán)橙多色發(fā)光。如小電流時(shí)為紅色的LED,隨著電流的增加,可以依次變?yōu)槌壬S色,后為綠色。
LED的價(jià)格比較昂貴,較之于白熾燈,一只LED的價(jià)格就可以與幾只白熾燈的價(jià)格相當(dāng),而通常每組信號(hào)燈需由上300~500只二極管構(gòu)成。
早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅(qū)動(dòng)電流為20 毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明,相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
90年代初,發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍(lán)光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(qū)(λp=615nm)的光效達(dá)到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區(qū)域(λp=530nm)的光效可以達(dá)到50流明/瓦。
GaN芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍(lán)光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層,約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收,另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光。現(xiàn)在,對(duì)于InGaN/YAG白色LED,通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
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