<P>陶瓷條概述<BR>本公司引進高科技氮化硅陶瓷制造技術的基礎上按照國家標準生產的陶瓷條,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術（得到理想的陶瓷條坯體密度），經1600℃以上高溫燒結獲得高密度、高強度氮化硅陶瓷制品?？蓮V泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產品的零部件，取得了很好的預期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術的發(fā)展,陶瓷條等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應用面在不斷擴大。</P>
<P><IMG src=""><BR>陶瓷條特點<BR>1、工藝優(yōu)良:陶瓷條采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術，經高溫燒結具有高強度，硬度，致密度。軋膜成型的優(yōu)點:工藝簡便,軋出的膜片表面光滑,均勻,致密。但反復軋膜,常會引 入少量雜質,有時對產品電性能產生不利影響,費時也較長,不便連續(xù)化操作。
主要用涂 :薄片狀電容器坯片、壓電陶瓷揚聲器 (蜂鳴片 ) 、濾波器坯片和厚膜電路基板 坯片等。<BR>2、性能穩(wěn)定:陶瓷條具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。氣壓燒結
氣壓燒結是指把成型的氮化硅坯體置于5-12MP的氮氣中在1800-2100℃下進行燒結。由于氮氣壓力高,因此提高了氮化硅的分解溫度,選用能形成高耐火度晶間相的燒結助劑可以提高材料的高溫性能。
(5)熱等靜壓法
將氮化硅與燒結助劑的混合物粉末封裝于金屬或玻璃包套中,抽真空,然后通過高壓氣體在高溫下燒結。常用壓力為200MP,溫度為2000℃。通過熱等靜壓法制得的氮化硅可達理論密度,但是其工藝復雜,成本較高。
(6)反應燒結
反應燒結指將原料成型體在一定溫度下通過固相,液相和氣相相互間發(fā)生化學反應,同時進行致密化和規(guī)定組分的合成,得到預定的燒結體的過程。在反應燒結過程中液相的存在是非常重要的。制品在燒結前后幾乎沒有尺寸收縮。反應燒結的溫度低于其他燒結方法的燒結溫度。制成的制品中氣孔率較高,機械性能較差。反應燒結得到的制品不需要昂貴的機械加工,可以制成形狀復雜的制品,在工業(yè)上得到廣泛應用。常用于像氮化硅,碳化硅之類的典型共價鍵材料的燒結。將硅粉或碳粉與粘結劑混合后成型,然后放入N2氣氛或浸入熔融的硅中,使坯體中的硅或氮氣或熔融硅反應來制備氮化硅、碳化硅制品.<BR>3、應用廣泛：陶瓷條可廣泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產品的零部件。按工藝可以分為反應燒結制品、熱壓制品、常壓燒結制品、等靜壓燒結制品和反應重燒制品等。其中，反應燒結是一種常用的生產氮化硅耐火制品的方法。
反應燒結法生產氮化硅制品是將磨細的硅粉（粒度一般小于80μm），用機壓或等靜壓成型，坯體干燥后，在氮氣中加熱至1350～1400℃，在燒成過程中同時氮化而制得。采用這種生產方法，原料條件和燒成工藝及氣氛條件對制品的性能有很大的影響。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的陶瓷條產品優(yōu)勢<BR>質量穩(wěn)定：實行全過程質量監(jiān)控，細致入微，檢測！<BR>價格合理：內部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>陶瓷條實拍圖<BR>陶瓷條選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會感到忙繞。目前市面上的陶瓷產品選型手冊和選型標準一般是按照材料的性能和應用來分類。<BR>陶瓷條氮化硅 陶瓷的制備技術在過去幾年發(fā)展很快，制備工藝主要集中在反應燒結法、熱壓燒結法和常壓燒結法、氣壓燒結法等類型. 由于制備工藝不同，各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結構（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等）。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的氮化硅 陶瓷材料，應制備的氮化硅 粉末. 用不同方法制備的氮化硅 粉質量不完全相同，這就導致了其在用途上的差異，許多陶瓷材料應用的失敗，往往歸咎于不了解各種陶瓷粉末之間的差別，對其性質認識不足。一般來說，的氮化硅 粉應具有α相含量高，組成均勻，雜質少且在陶瓷中分布均勻，粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少應占90%，這是由于氮化硅 在燒結過程中,部分α相會轉變成β相，而沒有足夠的α相含量，就會降低陶瓷材料的強度。
反應燒結法（ RS)
是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆). 后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。反應燒結法適于制造形狀復雜，尺寸的零件，成本也低，但氮化時間很長。
熱壓燒結法（ HPS)
是將氮化硅 粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結氮化硅 陶瓷，其強度高達981MPa以上。燒結時添加物和物相組成對產品性能有很大的影響。由于嚴格控制晶界相的組成，以及在氮化硅 陶瓷燒結后進行適當的熱處理，所以可以獲得即使溫度高達1300 ℃時強度（可達490MPa以上）也不會明顯下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕變性可提高三個數量級。若對氮化硅 陶瓷材料進行1400———1500 ℃高溫預氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結法生產的氮化硅 陶瓷的機械性能比反應燒結的氮化硅 要，強度高、密度大。但制造成本高、燒結設備復雜，由于燒結體收縮大，使產品的尺寸精度受到一定的限制，難以制造復雜零件，只能制造形狀簡單的零件制品，工件的機械加工也較困難。
常壓燒結法（ PLS)
在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用氮化硅 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進行氣壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進氮化硅 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。這種方法的缺點與熱壓燒結相似。
氣壓燒結法（ GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進氮化硅晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規(guī)模生產。<BR>陶瓷條高韌性的層狀氮化硅基復合材料，主層內加入一定量的SiC晶須，產生兩級增韌效果，層狀氮化硅陶瓷的斷裂韌性可達20.11MPa·m1/2。 4氮化硅陶瓷的應用 由于氮化硅陶瓷的性能，它已在許多工業(yè)領域獲得廣泛應用。如：在機械工業(yè)中用作渦輪葉片、機械密封環(huán)、高溫軸承、高速切削工具、性模具等；冶金工業(yè)中用作坩堝、燃燒嘴、鋁電解槽襯里等熱工設備上的部件；化學工業(yè)中用作耐蝕、耐磨零件包括球閥、泵體、燃燒器、汽化器等；電子工業(yè)中用作薄膜電容器、高溫絕緣體等；航空航天領域用作雷達天線罩、發(fā)動機等；原子能工業(yè)中用作原子反應堆中的支承件和隔離件、核裂變物質的載體等。 氮化硅陶瓷具有的綜合性能和豐富的資源，是一種理 想的高溫結構材料，具有廣闊的應用領域和市場，都在競相研究和開發(fā)?？梢灶A言：隨著陶瓷的基礎研究和新技術開發(fā)的不斷進步，特別是復雜件和大型件制備技術的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作為性能優(yōu)良的工程材料將得到更廣泛的應用。</P>
<P>陶瓷條訂購注意事項<BR>1、此產品不支持網上訂購，由于氮化硅陶瓷產品大多數屬于非標定制件，如您需要訂購陶瓷條產品請隨時致電聯系我們，我們一定會盡心盡力為您提供的服務。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數量③需要告知應用場合及對產品的技術要求④使用溫度⑤使用介質⑥其他要注意的事項。<BR>3、如有特殊要求時請在訂購產品時注明。<BR>4、當使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復雜時，請盡量提供設計圖紙。</P>
<P>陶瓷條使用注意事項<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應注意：<BR>氮化硅 陶瓷的制備技術在過去幾年發(fā)展很快，制備工藝主要集中在反應燒結法、熱壓燒結法和常壓燒結法、氣壓燒結法等類型. 由于制備工藝不同，各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結構（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等）。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的氮化硅 陶瓷材料，應制備的氮化硅 粉末. 用不同方法制備的氮化硅 粉質量不完全相同，這就導致了其在用途上的差異，許多陶瓷材料應用的失敗，往往歸咎于不了解各種陶瓷粉末之間的差別，對其性質認識不足。一般來說，的氮化硅 粉應具有α相含量高，組成均勻，雜質少且在陶瓷中分布均勻，粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少應占90%，這是由于氮化硅 在燒結過程中,部分α相會轉變成β相，而沒有足夠的α相含量，就會降低陶瓷材料的強度。
反應燒結法（ RS)
是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆). 后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。反應燒結法適于制造形狀復雜，尺寸的零件，成本也低，但氮化時間很長。
熱壓燒結法（ HPS)
是將氮化硅 粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結氮化硅 陶瓷，其強度高達981MPa以上。燒結時添加物和物相組成對產品性能有很大的影響。由于嚴格控制晶界相的組成，以及在氮化硅 陶瓷燒結后進行適當的熱處理，所以可以獲得即使溫度高達1300 ℃時強度（可達490MPa以上）也不會明顯下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕變性可提高三個數量級。若對氮化硅 陶瓷材料進行1400———1500 ℃高溫預氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結法生產的氮化硅 陶瓷的機械性能比反應燒結的氮化硅 要，強度高、密度大。但制造成本高、燒結設備復雜，由于燒結體收縮大，使產品的尺寸精度受到一定的限制，難以制造復雜零件，只能制造形狀簡單的零件制品，工件的機械加工也較困難。
常壓燒結法（ PLS)
在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用氮化硅 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進行氣壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進氮化硅 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。這種方法的缺點與熱壓燒結相似。
氣壓燒結法（ GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進氮化硅晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規(guī)模生產。 <BR></P>
