金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射

磁控濺射鍍膜靶材：
金屬鋯濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，化鉛靶材(PbAs)，化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

名　　稱：鋯管
規(guī)　　格：Φ8.0—89.0（外直徑）╳ 1.0—10.0（壁厚）╳ L（長）mm
狀　　態(tài)：退火
主要性能： 抗拉強度HB>379Mpa 導(dǎo)熱率=0.040Cal/cm2 （可以彎成需要的形狀）
應(yīng)用領(lǐng)域：油箱盤管、殼管熱交換器、熱虹吸管、蒸發(fā)器、卡口加熱器和人造絲絲囊、管殼式換熱器,列管式換熱器,加熱管,管式預(yù)熱器、化工設(shè)備反應(yīng)釜盤管等。
例如：在蒸氣壓力為239000Pa，溫度為373K，管中流體含5%硫酸、3%、6%硫酸鈉的條件下，用鋯盤管代替鉛盤等，使用壽命在10年以上。

鋯管-----玻璃鋼反應(yīng)釜有如下優(yōu)點：
1、使用壽命長，至少3年以上。
2、免維護(hù)，省卻設(shè)備的維修費用及停工成本費用。
3、高工效，因鋯金屬導(dǎo)熱性能強，其加熱及降溫速度快。5方母液、8平方換熱面積，從120℃降至40℃不超過90分鐘。蒸汽與冷卻水可隨時切換。
4、安全性能高，由于玻璃鋼的柔韌性，不會像普通釜那樣由于掉黏而被迅速腐蝕，產(chǎn)生漏液的危險。
5、耐腐蝕性能更優(yōu)，能耐住氣態(tài)氯及氣態(tài)氫的混合腐蝕，在雙甘膦及草甘膦的生產(chǎn)中優(yōu)勢更為明顯。