深圳GSI鉭鈮礦檢測(cè)技術(shù)有限公司擁有大型的實(shí)驗(yàn)室，配備精良的測(cè)試儀器，與華南地區(qū)各實(shí)驗(yàn)室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測(cè)認(rèn)證通道；幫助客戶減少開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時(shí)獲得各國(guó)市場(chǎng)的準(zhǔn)入證。

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化

氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬型結(jié)晶，相對(duì)密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點(diǎn)溫度為17.8K。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過(guò)氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類(lèi)質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700～1000℃下使鉭粉和氮?dú)夥磻?yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。

【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。