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利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計進行優(yōu)化
氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對密度為13.4，熔點為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
又稱“氧化鉭”?；瘜W式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結(jié)晶形白色粉末或無色難溶性粉末。相對密度8.2,熔點1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩(wěn)定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點以下穩(wěn)定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。
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