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分析師表示，三星，東芝和美光的3D NAND閃存芯片有望在2014-2015年間進入初期生產階段，未來幾年我們將看到其商業(yè)版本。3D NAND的成功將取決于具有閃存的新產品在市場上的采用，這將決定何時準備將其用于商業(yè)規(guī)模生產的中心舞臺。
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