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電子呆料、電子元器件在當(dāng)今5G高速網(wǎng)絡(luò)時(shí)代會(huì)有一大批被淘汰，為什么呢？從5G網(wǎng)絡(luò)自身的運(yùn)算速度來(lái)說(shuō)，是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò)4G的上百倍，在如此快速的轉(zhuǎn)換、運(yùn)行的環(huán)境下，勢(shì)必要求各個(gè)元器件達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)，像運(yùn)算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問(wèn)題使老一代的電子元器件無(wú)法勝任5G時(shí)代的要求。

回收商：這就面臨一個(gè)問(wèn)題，回收回來(lái)的電子呆料應(yīng)該用到什么地方？我想在5G的互聯(lián)網(wǎng)大時(shí)代環(huán)境下只是增加了一定的交易風(fēng)險(xiǎn)，還無(wú)法讓回收商的收購(gòu)熱情完全香消玉殞。
每個(gè)電子元器件制造生產(chǎn)企業(yè)都會(huì)存在電子呆料、廢料的情況，如何處理比較合理？從以往的電子呆料處理市場(chǎng)反饋來(lái)說(shuō)，大部分企業(yè)都有自己長(zhǎng)期的處理渠道，一般來(lái)說(shuō)就是有固定的3個(gè)左右回收商合作，但是也有弊端，因?yàn)榉忾]性導(dǎo)致沒(méi)有市場(chǎng)數(shù)據(jù)參入，廠家會(huì)覺(jué)得價(jià)格賣(mài)得低，回收商會(huì)覺(jué)得價(jià)格收得高，都是想著能利潤(rùn)。
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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級(jí)電容器，是從上個(gè)世紀(jì)七八十年代發(fā)展起來(lái)的一種化學(xué)元件。超級(jí)電容器通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲(chǔ)能，但不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而且儲(chǔ)能過(guò)程是可逆的，也正因?yàn)榇顺?jí)電容器可以反復(fù)充放電數(shù)十萬(wàn)次。法拉電容金額普通電容的區(qū)別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬(wàn)~4萬(wàn)微法，超級(jí)電容器大容量可達(dá)數(shù)千法拉，1法拉=100萬(wàn)微法，所以超級(jí)電容又叫做法拉電容。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱：relay）是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量（激勵(lì)量）的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路）之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

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IGBT模塊回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。