氧化鋁球的制作方法：

氧化鋁粉用球機滾制，或者等靜壓后高溫燒結。

氧化鋁球的種類：

根據氧化鋁的含量，可分為92氧化鋁球，95氧化鋁球，99氧化鋁球，其中叁鑫新材料的氧化鋁球的氧化鋁含量為99.9%。

研磨玻璃粉也是需要高硬度氧化鋁球，高硬度的氧化鋁球研磨玻璃產生的雜質比較少，能提高玻璃的質量。由于其顏色非常白，石英粉也白，所以在研磨的過程中不會對石英粉造成污染。石英粉硬度比較高，所以需要硬度比較高的氧化鋁球，氧化鋁球的硬度跟氧化鋁含量有關，一般采用高含量氧化鋁球進行研磨。

鋰電池有高電壓，高容量的特點，就像芯片一樣，相同空間能有更多的構造，可以提高鋰電池的電量，目前鋰電池正在更新迭代，原材料都在往納米的級別上行進，其正負極材料都有氧化鋁球參與研磨。

現代凈水活性氧化鋁為白色球狀多孔性顆粒，粒度均勻，表面光滑，機械強度大，吸濕性強，吸水后不脹不裂保持原狀，、無臭、不溶于水、乙醇，對氟有很強的吸附性，主要用于高氟地區(qū)飲用水的除氟。

個氧化鋁工業(yè)生產法——蘇打燒結法就是1856——1860年在這里研究出來的。1858年呂·查得·里提出鋁土礦—蘇打燒結法生產氧化鋁。由于在燒結過程中鋁土礦中的Al203，、SiO2將與蘇打反應，生成氧成不溶性的鋁硅酸鈉，造成氧化鋁和蘇打的大量損失。1880年由米列爾提出往蘇打、鋁土礦爐料中添加石灰石，使得燒結過程不生成或很少生成鋁硅酸鈉，大大減少了氧化鋁和蘇打的損失;后又改為添加石灰，以至發(fā)展成為今天的堿—石灰燒結法。這一方法是目前處理高硅鋁土礦生產氧化鋁的主要工業(yè)生產方法，1889—1892年奧地利人K·J·拜耳發(fā)明了甩苛性堿溶液直接浸出鋁土礦生產氧化的拜耳法，為氧化鉛的大規(guī)模生產和迅速發(fā)展開辟了道路。此法用在處理低硅鋁土礦，特別是處理三水鋁石型鋁土礦，其經濟效果遠非其它生產方法所能比擬。燒結法和拜耳法是目前生產氧化鋁的主要工業(yè)方法。

用于表征氧化鋁物理性質的指標有：安息角、α-Al203含量、容重、粒度和比表面積以及磨損系數等。
1、安息角。氧化鋁安息角是指物料在光滑平面上自然堆積的傾角。安息角較大的氧化鋁在電解質中較易溶解，在電解過程中能夠很好的復蓋于電解質結殼上，飛揚損失也較小。
2、a-Al2O3含量。氧化鋁中a-Al2O3含量反映了氧化鋁焙燒程度，焙燒程度越高，a-Al2O3含量越多，氧化鋁的吸濕性隨著a-Al2O3含量增多面變差。所以，電解用的氧化鋁要求含一定數量的a-Al2O3。但a-Al2O3在電解質中的溶解性能較Υ-Al203差。
3、容重。氧化鋁的容重是指在自然狀態(tài)下單位體積的物料的重量。通常容重小的氧化鋁有利于在電解質中的溶解。
4、粒度。氧化鋁的粒度是指其粗細程度。氧化鋁的粒度適當，過粗在電解質中溶解速度慢，甚至沉淀；過細則容易飛揚損失。
5、比表面積。氧化鋁的比表面積是指單位重量物料的外表面積與內孔表面積之和的總表面積。是表示物質活性高低的一個重要指標。比表面積大的氧化鋁在電解質中溶解性能好，活性大，但易吸濕。
6、磨損系數。所謂磨損系數是氧化鋁在控制一定條件下的流化床上磨撞后，試樣中 粒級含量改變的百分數。磨損系數是表征氧化鋁強度的一項物理指標。

活性氧化鋁生產原料有兩種，一種是由三水鋁石或拜耳石生產的“快脫粉”，另一種是由鋁酸鹽或鋁鹽或二者同時生產的擬薄水鋁石。
x-ρ 氧化鋁的生產
x-ρ氧化鋁是生產活性氧化鋁球的主要原料，國外簡稱FCA，在國內因其是用快速脫水法生產的氧化鋁粉，所以稱為“快脫粉”。“快脫粉“”是x-氧化鋁和ρ - 氧化鋁的混合物，因生產條件的差別，含量各不相同。
擬薄水鋁石的生產方法
天然或人工生產的一水氧化鋁和三水氧化鋁，因比表面積低、孔容小、活性低，不能用來做干燥劑、吸附劑、催化劑和催化劑載體。將一水氧化鋁或三水氧化鋁加工成擬薄水鋁石。擬薄水鋁石具有高比表面積、大孔容、大孔徑、高活性，適合于作干燥劑、吸附劑及石油化工、化肥及尾氣等領域的催化劑和催化劑載體等。

再生劑采用氫氧化鈉溶液，也可采用硫酸鋁溶液。氫氧化鈉再生劑的溶液濃度采用0.75%～1%，氫氧化鈉消耗量可按每去除1g氟化物所需8～10g固體氫氧化鈉計算，再生液用量為濾料體積的3～6倍。硫酸鋁再生劑的溶液濃度采用2～3%，硫酸鋁的消耗量可按每去除1g氟化物需60～80g固體硫酸鋁計算。

吸附劑及催化劑載體用氧化鋁是一種精細化學品，也是一種化學品。不同用途對物性結構的要求不同，這就是其性強、品種牌號多的緣故。據統(tǒng)計，用氧化鋁作催化劑及載體的數量，比分子篩、硅膠、活性炭、硅藻土及硅鋁膠的催化劑總用量還多。由此可見氧化鋁在催化劑及載體中的舉足輕重的地位。其中η-Al2O3和γ-Al2O3又是重要的催化劑及載體，它們都是含有缺陷的尖晶石結構，兩者的區(qū)別是：四面體的晶體結構不同（γ>η），六方層的堆排規(guī)整性不同（γ>η）以及Al—O鍵距不同（η>γ，差值0.05～0.1nm）。