昆明回收UFS芯片 收購(gòu)海力士閃存
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TGF2934，HFA2/182ZST，GRM0332C1H8R5BA01#，MT28C128532W30DFW-705TBWTES，GRM0332C1E9R2WA01#，SN74AUP1G240DCKR，TPS40101RGER，ECWF4303HL，ERJH3EF75R0V，R5F56218BDLD，P5DF081UA/T1AD2060，HF7FD/024-1H，INA117PG4，ERJU06D7153V，CYUSB3343-BZXI，SGM2022-XYN6/TR，LTC2164IUK#PBF，ERJP06F1870V，ERA3APC512V，GRM43RR71H564KA01#，TV05A640JB-G，ERJ3RBD1742V，ERJU0XF6653Y，74LVC126AD-Q100，TMK042CG070BD-W，GD25LQ05CTJG，MC74H851ADTR2G，ERA6VEB6802V，UPD78F0445GA-HAB-AX，AP7383-18Y-13，M38510/32403SSA，LTC1694-1IS5#TRPBF，APX809S00-23SR-7，TT6P2-1575T-2012，ERJU2RD7151X，HX8399-C，GRM022R60J104ME15#，ERA2APC363X，Si8423AD-IS，MLJ1608WR18JT000，STTH810GY-TR，RN4904FE，TL432CPK，HF8-1C-12DEF，CD74AC86E，GRM033B11E151MA01#，ECA2GHG4R7E，D9MNN，N3010，SMS7621-005LF
其中EMI包括：CE（傳導(dǎo)干擾），RE（輻射干擾），PT(干擾功率測(cè)試)等等。EMS包括：ESD(靜電放電），RS（輻射耐受），EFT/B(快速脈沖耐受)，surge（雷擊），CS（傳導(dǎo)耐受）等。常見(jiàn)的騷擾源顯然，EMC設(shè)計(jì)的目的就是使所設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或系統(tǒng)在預(yù)期的電磁環(huán)境中能夠?qū)崿F(xiàn)電磁兼容。換而言之,就是說(shuō)設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或系統(tǒng)能夠滿(mǎn)足EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的兩方面的能力。常見(jiàn)EMC測(cè)試項(xiàng)目電磁干擾（EMI）的原理EMI的產(chǎn)生原因各種形式的電磁干擾是影響電子設(shè)備兼容性的主要原因。
