關鍵詞 |
唐鎮(zhèn)金屬鉭回收,新城金屬鉭回收,金屬鉭回收樣式優(yōu)雅,金屬鉭回收款式 |
面向地區(qū) |
深圳GSI鉭鈮礦檢測技術有限公司擁有大型的實驗室，配備精良的測試儀器，與華南地區(qū)各實驗室存在廣泛的合作關系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測認證通道；幫助客戶減少開發(fā)風險、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時獲得各國市場的準入證。
一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因
利用磁控反應濺射技術制備氮化鉭薄膜，對磁控反應濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設計進行優(yōu)化
氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬型結(jié)晶，相對密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點溫度為17.8K。
利用磁控反應濺射技術制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術研究了薄膜的微觀結(jié)構。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細小（１６ｎｍ左右）；同時還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
————— 認證資質(zhì) —————
上海本地金屬鉭回收熱銷信息
