關(guān)鍵詞 |
銅陵過期氧氯化鋯回收,忠縣過期氧氯化鋯回收,河北過期氧氯化鋯回收,黃浦過期氧氯化鋯回收 |
面向地區(qū) |
全國 |
金屬靶材:
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射
主要應(yīng)用
編輯
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類
根據(jù)形狀可分為方靶,圓靶,異型靶
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板,鋯圓靶,鋯管靶,鋯靶,鈦靶,鉻靶
合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶,鉿靶,鋯管靶,鋯板靶,鈦板靶,鈦板
鋯換熱器產(chǎn)品介紹:
現(xiàn)在的搪瓷釜由于介質(zhì)的腐蝕性、反應(yīng)條件忽冷忽熱等問題,總會出現(xiàn)這樣那樣的搪瓷層損壞。一旦出現(xiàn)爆瓷現(xiàn)象,搪瓷面的損壞會迅速擴(kuò)大,繁瑣的修補(bǔ),停產(chǎn),安全事故及環(huán)境污染等不可預(yù)計(jì)的損失一直困擾著國內(nèi)眾多化工企業(yè).
取代搪瓷釜的金屬鋯盤管換熱器,解決化工行業(yè)所使用的搪瓷釜爆瓷,搪瓷面的損壞,不易修復(fù)(或者修復(fù)成本高)而報(bào)廢的成本問題.由于金屬鋯材優(yōu)良的導(dǎo)熱性和強(qiáng)耐腐蝕性,在加熱,冷卻兩道工序上有效的縮短了生產(chǎn)時(shí)間,并且它特有的強(qiáng)耐腐蝕性這一特點(diǎn),從而了生產(chǎn)中不被各種工況的腐蝕性所腐蝕的要求,在生產(chǎn)旺季為生產(chǎn)出貨,創(chuàng)造了寶貴的時(shí)間,并且提高了產(chǎn)量,真正實(shí)現(xiàn)換熱設(shè)備零維護(hù).
本產(chǎn)品已經(jīng)在國內(nèi),外大型農(nóng)藥化工,醫(yī)藥化工,石化等行業(yè)投入使用,反應(yīng)良好,歡迎有此需求,有此困擾的客戶來電咨詢,洽談,我公司將在時(shí)間回復(fù),配合.給予設(shè)備,技術(shù)上的支持.
磁控濺射靶材:鋯靶,鉿靶
磁控濺射靶材種類:
金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材,硅化物陶瓷濺射靶材,硫化物陶瓷濺射靶材,碲化物陶瓷濺射靶材,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),化鉛靶材(PbAs),化銦靶材(InAs)。 [2]
磁控濺射原理:
在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負(fù)高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設(shè)備原理簡單,在濺射金屬時(shí),其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛,除可濺射導(dǎo)電材料外,也可濺射非導(dǎo)電的材料,同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,如今,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
我們曾在多種農(nóng)藥設(shè)備上進(jìn)行過工業(yè)鋯的應(yīng)用研究,如在農(nóng)藥反應(yīng)罐中進(jìn)行了鋯的實(shí)際應(yīng)用與掛片試驗(yàn)。農(nóng)藥水解反應(yīng)的條件為:20%硫酸+甲萘胺;溫度220-250℃;15個(gè)大氣壓(1520kPa),一個(gè)流程時(shí)間為7h,在此條件下設(shè)備腐蝕嚴(yán)重,1mm厚普通鋼板,反應(yīng)后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層,則易污染環(huán)境,鉛的抗腐蝕也較差,一個(gè)搪鉛反應(yīng)罐,僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗(yàn)條件為:生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺;生產(chǎn)200-250℃;壓力14-15個(gè)大氣(1419- 1520kPa)。結(jié)果表明,隨時(shí)間增加,鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加,但增加速度較緩,對鋯的力學(xué)性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降,可減少脆性,對鋯有利,年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。
鋯管-鋯板-鋯帶-鋯棒-鋯絲
牌號:Zr-0、Zr-2、R60702,R60705、Zr-4;
規(guī)格: 0.03~50×200~600×Lmm 0.5~100×Lmm;
種類:軋制、鍛制、拉制;標(biāo)準(zhǔn):Q/BS6531-91、GB8769-88、Q/BS6331-91、Q/BS6431-91。
鋯的表面易形成一層氧化膜,具有光澤,故外觀與鋼相似。有耐腐蝕性,但是溶于氫氟酸和王水;高溫時(shí),可與非金屬元素和許多金屬元素反應(yīng),生成固體溶液化合物。鋯 鋯單質(zhì)
的可塑性好,易于加工成板、絲等。鋯在加熱時(shí)能大量地吸收氧、氫、氮等氣體,可用作儲氫材料。鋯的耐蝕性比鈦好,接近鈮、鉭。鋯與鉿是化學(xué)性質(zhì)相似、又共生在一起的兩個(gè)金屬,且含有物質(zhì)。地殼中鋯的含量居第19位,幾乎與鉻相等。自然界中具有工業(yè)價(jià)值的含鋯礦物,主要有鋯英石及斜鋯石。
鋯是一種稀有金屬,具有驚人的抗腐蝕性能、的熔點(diǎn)、的硬度和強(qiáng)度等特性,被廣泛用在航空航天、、核反應(yīng)、原子能領(lǐng)域。本次"神六"上使用的抗腐蝕性、耐高的鈦產(chǎn)品,其抗腐蝕性能遠(yuǎn)不如鋯,其熔點(diǎn)1600度左右,而鋯的熔點(diǎn)則在1800度以上,二氧化鋯的熔點(diǎn)更是高達(dá)2700度以上,所以鋯作為航空航天材料,其各方面的性能大大于鈦。
鋯作為與氧有親和力的活潑金屬,氧化膜的耐蝕性能決定了其可以勝任多重腐蝕環(huán)境。
一、工業(yè)純鋯在所有的沸騰的所有濃度鹽酸中,腐蝕速率均小于0.025mm/a。
二、在小于70%的硫酸中鋯具有的耐蝕性。此外由于不銹鋼和鎳合金不能在高溫、20%的硫酸和40-60%的沸騰溫度以下的硫酸范圍內(nèi)使用,故鋯在硫酸環(huán)境具有無可替代的作用。
三、在200℃以下,不大于90%的硝酸中,鋯具有良好的耐蝕性。但應(yīng)注意鋯在硝酸中的應(yīng)力腐蝕開裂敏感性。
四、鋯在所有濃度甚至沸騰的苛性堿溶液中都耐腐蝕。耐蝕性超過了鉭、鈮、鈦。
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