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真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子槍加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。
真空鍍膜設(shè)備主要指需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括多弧離子真空鍍膜設(shè)備，真空離子蒸發(fā)，光學(xué)鍍膜機(jī)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發(fā)落在工件表面結(jié)晶。由于空氣對蒸發(fā)的膜體分子會產(chǎn)生阻力造成碰撞使結(jié)晶體變得粗糙無光，所以在高真空下才能使結(jié)晶體細(xì)密光亮，如果真空度不高結(jié)晶體就會失去光澤結(jié)合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差?，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
從更深層次研究電子在非均勻電磁場中的運動規(guī)律 ,探討了磁控濺射的更一般原理以及磁場的橫向不均勻性及對稱性是磁約束的本質(zhì)原因。磁控濺射可以被認(rèn)為是鍍膜技術(shù)中的成就之一。特點是濺射率高、基片溫升低、膜-基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定中頻設(shè)備加冷卻水進(jìn)行冷卻，原因是它的頻率高電流大。電流在導(dǎo)體流動時有一個集膚效應(yīng)，電荷會聚集在電導(dǎo)有表面積，這樣會使電導(dǎo)發(fā)熱，所以采用中孔管做導(dǎo)體中間加水冷卻。
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