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研究表明，影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大

氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬型結(jié)晶，相對密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點溫度為17.8K。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700～1000℃下使鉭粉和氮氣反應(yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點制造電阻薄膜器件。

【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。