金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射

各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造；在信息存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。
市場概況
日本。就美國而言．約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì)在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時(shí)間，的一些國家和地區(qū)，如臺(tái)灣．韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達(dá)到國外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺(tái)灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺(tái)灣50%的靶材需要。

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。

鋯管-鋯板-鋯帶-鋯棒-鋯絲
牌號：Zr－0、Zr－2、R60702，R60705、Zr－4；
規(guī)格： 0.03～50×200～600×Lmm 0.5～100×Lmm；
種類：軋制、鍛制、拉制；標(biāo)準(zhǔn)：Q／BS6531－91、GB8769－88、Q／BS6331－91、Q／BS6431－91。

名　　稱：鋯管
規(guī)　　格：Φ8.0—89.0（外直徑）╳ 1.0—10.0（壁厚）╳ L（長）mm
狀　　態(tài)：退火
主要性能： 抗拉強(qiáng)度HB>379Mpa 導(dǎo)熱率=0.040Cal/cm2 （可以彎成需要的形狀）
應(yīng)用領(lǐng)域：油箱盤管、殼管熱交換器、熱虹吸管、蒸發(fā)器、卡口加熱器和人造絲絲囊、管殼式換熱器,列管式換熱器,加熱管,管式預(yù)熱器、化工設(shè)備反應(yīng)釜盤管等。
例如：在蒸氣壓力為239000Pa，溫度為373K，管中流體含5%硫酸、3%、6%硫酸鈉的條件下，用鋯盤管代替鉛盤等，使用壽命在10年以上。

可根據(jù)用戶需要制作。
鋯盤管換熱器:
規(guī)格；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，功率有1.5KW-50KW,
形態(tài)；根據(jù)加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過熱保護(hù)裝置。
用途；適用于鈦無法勝任的酸、堿介質(zhì)中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產(chǎn)中，鋯的應(yīng)用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經(jīng)久耐用足以彌補(bǔ)成本費(fèi)。

我們曾在多種農(nóng)藥設(shè)備上進(jìn)行過工業(yè)鋯的應(yīng)用研究，如在農(nóng)藥反應(yīng)罐中進(jìn)行了鋯的實(shí)際應(yīng)用與掛片試驗(yàn)。農(nóng)藥水解反應(yīng)的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個(gè)大氣壓（1520kPa)，一個(gè)流程時(shí)間為7h，在此條件下設(shè)備腐蝕嚴(yán)重，1mm厚普通鋼板，反應(yīng)后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個(gè)搪鉛反應(yīng)罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗(yàn)條件為：生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺；生產(chǎn)200-250℃；壓力14-15個(gè)大氣（1419- 1520kPa)。結(jié)果表明，隨時(shí)間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學(xué)性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。

鋯的表面易形成一層氧化膜，具有光澤，故外觀與鋼相似。有耐腐蝕性，但是溶于氫氟酸和王水；高溫時(shí)，可與非金屬元素和許多金屬元素反應(yīng)，生成固體溶液化合物。鋯 鋯單質(zhì)
的可塑性好，易于加工成板、絲等。鋯在加熱時(shí)能大量地吸收氧、氫、氮等氣體，可用作儲(chǔ)氫材料。鋯的耐蝕性比鈦好，接近鈮、鉭。鋯與鉿是化學(xué)性質(zhì)相似、又共生在一起的兩個(gè)金屬，且含有物質(zhì)。地殼中鋯的含量居第19位，幾乎與鉻相等。自然界中具有工業(yè)價(jià)值的含鋯礦物，主要有鋯英石及斜鋯石。

鋯是一種稀有金屬，具有驚人的抗腐蝕性能、的熔點(diǎn)、的硬度和強(qiáng)度等特性，被廣泛用在航空航天、、核反應(yīng)、原子能領(lǐng)域。本次"神六"上使用的抗腐蝕性、耐高的鈦產(chǎn)品，其抗腐蝕性能遠(yuǎn)不如鋯，其熔點(diǎn)1600度左右，而鋯的熔點(diǎn)則在1800度以上，二氧化鋯的熔點(diǎn)更是高達(dá)2700度以上，所以鋯作為航空航天材料，其各方面的性能大大于鈦。