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石家莊,回收TF內(nèi)存卡,內(nèi)存卡回收 |
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石家莊回收TF內(nèi)存卡
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用BMOV將數(shù)據(jù)寫入RAM后,再?gòu)腞AM中讀出。將數(shù)據(jù)寫入EEPROM盒時(shí),需要花費(fèi)一定的時(shí)間,務(wù)必請(qǐng)注意。4)RAM文件寄存器通道分配D6000~D7999,共2000點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)特殊輔助繼電器M8074,由于采用掃描被禁止,上述的數(shù)據(jù)寄存器可作為文件寄存器處理,用BMOV指令傳送數(shù)據(jù)。5)特殊用寄存器通道分配D8000~D8255,共256點(diǎn)。是寫入特定目的的數(shù)據(jù)或已經(jīng)寫入數(shù)據(jù)寄存器,其內(nèi)容在電源接通時(shí),寫入初始化值(一般先清零,然后由系統(tǒng)ROM來寫入)。假設(shè)以1ma作為光耦的導(dǎo)通電流,那么在220v交流電由0V變化到141V的過程需要1.5ms。而因?yàn)槠陂g的一致性問題,部分光耦可能會(huì)在0.5ma的時(shí)候就導(dǎo)通,部分可能在0.7ma的時(shí)候?qū)ā,F(xiàn)假設(shè)一致性帶來的導(dǎo)通電流為0.5ma,那么對(duì)應(yīng)導(dǎo)通電壓為71V,對(duì)應(yīng)滯后零點(diǎn)時(shí)間為736us,這表明,不同光耦之間零點(diǎn)差異可能達(dá)到764us。(實(shí)際測(cè)試中我檢測(cè)了10個(gè)樣品,其中兩個(gè)光耦導(dǎo)通性能差別的時(shí)間差達(dá)到50us,其他普遍在10us左右)。
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