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回收華邦I(lǐng)C,回收芯片,回收電子料 |
面向地區(qū) |
回收范圍：收購(gòu)IC，二三極管，內(nèi)存，芯片，單片機(jī)，繼電器，模塊，電容等各類(lèi)電子料及工廠庫(kù)存。
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南通回收華邦I(lǐng)C
可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，
當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現(xiàn)象。不斷，由于整流二極管的工作電流比較大，豐富的團(tuán)隊(duì)， 實(shí)際使用表明，電解電容的漏電電阻一般應(yīng)在幾百千歐以上，否則不能正常工作。
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