深圳GSI鉭鈮礦化驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)"以"行為公正、方法科學(xué)、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶至上"的服務(wù)宗旨，愿以準(zhǔn)確的檢驗(yàn)、公正的、快捷的代理、滿意的咨詢竭誠(chéng)為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內(nèi)容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶信賴的技術(shù)合作伙伴。

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達(dá)４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構(gòu)變化的原因

研究表明，影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對(duì)氮化鉭薄膜的硬度影響較大

氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬型結(jié)晶，相對(duì)密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點(diǎn)溫度為17.8K。

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥煌瑫r(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮?dú)饣虬睔庠?100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮?dú)鉃樵现苽涞g，反應(yīng)式如下：2Ta+N2=2TaN。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。

又稱“氧化鉭”?；瘜W(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結(jié)晶形白色粉末或無(wú)色難溶性粉末。相對(duì)密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩(wěn)定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩(wěn)定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。