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于是,為了進(jìn)一步減小解決方案的尺寸,有許多多輸出IC可供選擇。這些IC通常包括集成的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),同時(shí)至少要求配置有外部組件。而且,單就這些IC而言,其成本或許更為昂貴。通過減少生產(chǎn)過程中安裝到位的外部組件數(shù)量所獲得的收益,往往會(huì)抵消前期付出的高昂成本。采用何種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)呢?在如所示的實(shí)際應(yīng)用中,由于空間的限制,所以LDO將成為我們的。然而,由于功耗和效率的限制,實(shí)際情況并非總是如此。