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利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)小（１６ｎｍ左右）；同時還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。
【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】 Ta2O5
【分子量】 441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。
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