現(xiàn)代凈水活性氧化鋁為白色球狀多孔性顆粒，粒度均勻，表面光滑，機(jī)械強(qiáng)度大，吸濕性強(qiáng)，吸水后不脹不裂保持原狀，、無臭、不溶于水、乙醇，對(duì)氟有很強(qiáng)的吸附性，主要用于高氟地區(qū)飲用水的除氟。

個(gè)氧化鋁工業(yè)生產(chǎn)法——蘇打燒結(jié)法就是1856——1860年在這里研究出來的。1858年呂·查得·里提出鋁土礦—蘇打燒結(jié)法生產(chǎn)氧化鋁。由于在燒結(jié)過程中鋁土礦中的Al203，、SiO2將與蘇打反應(yīng)，生成氧成不溶性的鋁硅酸鈉，造成氧化鋁和蘇打的大量損失。1880年由米列爾提出往蘇打、鋁土礦爐料中添加石灰石，使得燒結(jié)過程不生成或很少生成鋁硅酸鈉，大大減少了氧化鋁和蘇打的損失;后又改為添加石灰，以至發(fā)展成為今天的堿—石灰燒結(jié)法。這一方法是目前處理高硅鋁土礦生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)生產(chǎn)方法，1889—1892年奧地利人K·J·拜耳發(fā)明了甩苛性堿溶液直接浸出鋁土礦生產(chǎn)氧化的拜耳法，為氧化鉛的大規(guī)模生產(chǎn)和迅速發(fā)展開辟了道路。此法用在處理低硅鋁土礦，特別是處理三水鋁石型鋁土礦，其經(jīng)濟(jì)效果遠(yuǎn)非其它生產(chǎn)方法所能比擬。燒結(jié)法和拜耳法是目前生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)方法。

1904年世界氧化鋁產(chǎn)量?jī)H為1000噸，1941年已達(dá)100萬噸。到1987年世界上有25個(gè)國(guó)的41個(gè)公司82家氧化鋁廠生產(chǎn)氧化鋁，已經(jīng)在生產(chǎn)著的和計(jì)劃投產(chǎn)的氧化鋁廠的總年產(chǎn)能為4300萬噸。主要的氧化鋁生產(chǎn)國(guó)有澳大利亞、美國(guó)、蘇聯(lián)、牙買加、日本、南斯拉夫、西德、法國(guó)、蘇里南和加拿大。國(guó)外生產(chǎn)氧化鋁絕大多數(shù)采用拜耳法，其次是燒結(jié)法和聯(lián)合法，多年來國(guó)外氧化鋁生產(chǎn)在改革工藝流程，降低能耗，研制能、低消耗的大型設(shè)備;探索資源的綜合利用;提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加產(chǎn)品品種;檢測(cè)分析、操作控制自動(dòng)化等方面都取得了很大進(jìn)展。

活性氧化鋁屬于化學(xué)品氧化鋁范疇，主要用于吸附劑、凈水劑、催化劑及催化劑載體?；钚匝趸X對(duì)氣體、水蒸氣和某些液體的水分有選擇吸附本領(lǐng)。吸附飽和后可在約175～315℃加熱除去水而復(fù)活。吸附和復(fù)活可進(jìn)行多次。除用作干燥劑外，還可從污染的氧、氫、二氧化碳、天然氣等中吸附潤(rùn)滑油的蒸氣。并可用作催化劑和催化劑載體和色層分析載體?？捎米鞲叻嬎某鷦ǔ萘看螅?、烷基苯生產(chǎn)中循環(huán)烷烴的脫氟劑、變壓器油的脫酸再生劑、用作制氧工業(yè)、紡織工業(yè)、電子行業(yè)氣體干燥，自動(dòng)化儀表風(fēng)的干燥以及在化肥、石油化工干燥等行業(yè)作干燥劑、凈化劑（露點(diǎn)可達(dá)-40℃）、在空分行業(yè)變壓吸附露點(diǎn)可達(dá)-55℃。是一種微量水深度干燥的干燥劑。非常適用于無熱再生裝置。

顆粒粒徑：粒徑越小，吸附容量越高，但粒徑越小，顆粒強(qiáng)度越低，影響其使用壽命。
（2）原水pH值：當(dāng)pH值大于5時(shí)，pH值越低，活性氧化鋁吸附容量越高。
（3）原水初始氟濃度：初始氟濃度越高，吸附容量較大。
（4）原水堿度：原水中重碳酸根濃度高，吸附容量將降低。
（5）氯離子和硫酸根離子。
（6）砷的影響：活性氧化鋁對(duì)水中的砷有吸附作用，砷在活性氧化鋁上的積聚造成對(duì)氟離子吸附容量的下降，且使再生時(shí)洗脫砷離子比較困難。

吸附劑及催化劑載體用氧化鋁是一種精細(xì)化學(xué)品，也是一種化學(xué)品。不同用途對(duì)物性結(jié)構(gòu)的要求不同，這就是其性強(qiáng)、品種牌號(hào)多的緣故。據(jù)統(tǒng)計(jì)，用氧化鋁作催化劑及載體的數(shù)量，比分子篩、硅膠、活性炭、硅藻土及硅鋁膠的催化劑總用量還多。由此可見氧化鋁在催化劑及載體中的舉足輕重的地位。其中η-Al2O3和γ-Al2O3又是重要的催化劑及載體，它們都是含有缺陷的尖晶石結(jié)構(gòu)，兩者的區(qū)別是：四面體的晶體結(jié)構(gòu)不同（γ>η），六方層的堆排規(guī)整性不同（γ>η）以及Al—O鍵距不同（η>γ，差值0.05～0.1nm）。