SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進。

在功率器件中，流經(jīng)焊接處的熱量非常高，因此需要更加注意芯片與框架連接處的熱性能及其處理高溫而不降低性能的能力。善仁新材的燒結(jié)銀的熱阻要比焊料低得多，因而使用燒結(jié)銀代替焊料能提高RθJC，而且由于銀的熔點較高，整個設(shè)計的熱裕度也提高了。

善仁新材的納米銀燒結(jié)工藝，通過銀原子的擴散達到連接目的。在燒結(jié)過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過擴散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)孔隙網(wǎng)絡(luò)

當下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

實現(xiàn)低溫燒結(jié)銀進行大面積封裝的可靠互連，促進電力電子半導體器件的高溫可靠應(yīng)用是電力電子器件發(fā)展的必然趨勢。

善仁新材的燒結(jié)銀可以用于電動汽車動力總成模組?：善仁燒結(jié)銀通過其高可靠性和的導電導熱性能，用于電動汽車的關(guān)鍵部件，如牽引逆變器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，以提高電力電子設(shè)備的效率和可靠性，進而增加車輛的續(xù)航里程。