大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的
傳統(tǒng)功率模塊中，芯片通常通過錫焊材料連接到基板。在熱循環(huán)過程中，連接界面通過形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯(lián)

目前電子封裝中常用的無鉛焊料熔點(diǎn)低于250℃，適用于低于150℃的服役溫度。然而，在175-200℃乃至更高的使用溫度下，這些連接層的性能將下降甚至熔化，嚴(yán)重影響模塊的正常運(yùn)行和長期可靠性。

2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中，為碳化硅技術(shù)在電動汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后，多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場的持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

燒結(jié)銀：功率器件封裝的革命性技術(shù)
善仁新材作為全球低溫漿料的，時刻關(guān)注低溫漿料在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，早在2013年，公司開發(fā)的低溫銀漿就用在了汽車電子產(chǎn)品里面；2018年，公司的納米銀墨水在汽車電子的射頻器件到了應(yīng)用；2019年，隨著純電動汽車的突破性進(jìn)展，公司的燒結(jié)銀產(chǎn)品找到了在碳化硅功率模組的應(yīng)用場景。

AS9378燒結(jié)銀的印刷性好：在大面積上進(jìn)行印刷要求銀膏的印刷性要足夠好，需要調(diào)整銀膏的觸變性和黏度以適應(yīng)大面積印刷。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動車的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。