FT60E010A-URT輝芒微代理SOT23-6原裝8位單片機MCU

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)FT60E010A-URT輝芒微代理SOT23-6原裝8位單片機MCU，輝芒微代理，原裝現(xiàn)貨輝芒微代理商商輝芒微電子（深圳）股份有限公司是一家于“MCU+”的平臺型芯片設(shè)計企業(yè)。 公司采用Fabless經(jīng)營模式，是國內(nèi)少數(shù)同時具備微控制器芯片、 電源管

2025年09月03日 11:19:44

美國光刻膠AZMIR70114CP光阻劑

廈門光刻膠 美國光刻膠AZ MIR701(14CP)是一種?高分辨率正性光刻膠?，膠厚范圍在?0.7-1.4μm?之間，極限線寬為?0.5μm?，適用于光刻工藝。通過稀釋可進一步實現(xiàn)?500納米及以下?的分辨率，適配激光干涉光刻等分辨率需求?粘附性?：該光刻膠具有的基板粘附性，尤其

2025年09月03日 11:15:44

FT61E045-RB輝芒微代理SOP20原裝8位單片機MCU

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2025年09月03日 11:15:10

美國光刻膠ZEP539A電子束光刻膠靈敏度高

廈門光刻膠 美國光刻膠ZEP539A屬于ZEP系列正性電子束光刻膠，該系列以高靈敏度著稱，其曝光劑量范圍通常低于常規(guī)PMMA膠（約為PMMA的3-4倍）?曝光劑量范圍?：雖未檢索到ZEP539A的具體數(shù)值，但同類ZEP產(chǎn)品（如ZEP520A）的典型曝光劑量為?50-150mJ/cm2?，靈敏度

2025年09月03日 11:08:26

美國光刻膠電子級蝕刻液精密電子元器件用

廈門光刻膠 美國光刻膠?蝕刻因子?：側(cè)蝕寬度與深度的比值，高蝕刻因子（如1:0.5）可線寬精度?選擇性?：對目標材料與掩膜/底層的刻蝕速率比，銅/鎢蝕刻比需達14:1?工藝控制?：?溫度?：酸性體系45-55℃，堿性體系需低于45℃以防氨揮發(fā)?添加劑?：硫脲緩蝕劑降低過

2025年09月03日 10:58:52

美國光刻膠光刻膠SPR955系列羅門哈斯

廈門光刻膠 美國光刻膠支持密集線條和空間圖案，適用于多晶硅、氮化鈦等材料的精細加工。?工藝兼容性?：可與底層膠（如LOR/PMGI-SF）搭配用于Lift-off工藝，顯影后形成穩(wěn)定底切結(jié)構(gòu)?粘附性?：對氧化硅、金屬層（如鋁、銅）表現(xiàn)出良好附著力，減少后續(xù)刻蝕中的

2025年09月03日 10:49:06