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半燒結銀國產燒結銀150度燒結銀

更新時間:2025-10-07 [舉報]
燒結銀解決寬禁帶半導體的五大難題

大面積燒結銀的導熱系數為: 200W/m·K, (激光閃射法);剪切強度為60 (MPa) 5*5mm (金-金,25℃)。

大面積燒結銀的使用要求
1. 使用前回溫至室溫;
2. 使用前在行星攪拌機中進行 2500rpm/30s 攪拌處理;
3. 框架表面鍍金、銀,芯片背面鍍金、銀

大面積燒結銀適用芯片尺寸≦8×8mm;
5. 對于芯片尺寸≦4×4mm,濕膠厚度 50-80μm;芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm,濕膠厚度 90-120μm。

標簽:全燒結銀半燒結導電膠
善仁(浙江)新材料科技有限公司
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