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根據(jù)權(quán)利要求4所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)的上端部(2-4)的外壁與該爐的保溫筒(17)密封連接。6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)各通氣孔(2-3)與該爐的排氣口 (13)通過(guò)通氣管(19) 相連通。7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)由石墨制成。

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設(shè)計(jì)與仿真編輯在直拉法生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中，硅單晶生長(zhǎng)的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場(chǎng)的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅硅單晶生長(zhǎng)順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理，生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。因此在投資硅單晶生長(zhǎng)企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長(zhǎng)設(shè)備，配置出合理的熱場(chǎng),從而保生產(chǎn)出來(lái)的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝中,一般采用溫度梯度來(lái)描述熱場(chǎng)的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗(yàn)。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，為了當(dāng)不再繼續(xù)加料時(shí)，化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置更好地驅(qū)動(dòng)導(dǎo)料管20提升不干涉主爐室坩堝21上升的位置，所述導(dǎo)流管20和支撐桿191均呈傾斜狀設(shè)置，所述支撐桿191和導(dǎo)流管20的傾斜方向及傾斜角度一致。為了增強(qiáng)外部化料器7的穩(wěn)固性，所述連接塊194少設(shè)置有兩個(gè)。為了防止?jié)櫥椭瑩]發(fā)污染原料，所述絲杠192的外側(cè)套裝有可伸縮的防塵罩95，所述防塵罩95為波紋防塵罩。